Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用，包括聚合物，藥物，超導(dǎo)體，半導(dǎo)體，合金，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進(jìn)行，是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜，質(zhì)量數(shù)范圍寬，質(zhì)量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強(qiáng)，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。