PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準(zhǔn)分子激光進(jìn)行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設(shè)備，系統(tǒng)能同時制備很多樣品（250個/10mm²）。每個樣品都是原子級的控制，可以設(shè)置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
　　這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個樣品不同的生長參數(shù)導(dǎo)致的沉積條件的系統(tǒng)變化。的貢獻(xiàn)就是可以快速地篩選生長條件。