掃描電化學(xué)顯微鏡（SECM）主要功能及特點(diǎn)
Bsae-SECM 是一套致力于研究的掃描電化學(xué)顯微鏡，技術(shù)源于德國(guó)波鴻魯爾大學(xué)Schuhmann 教授課題組。Base-SECM 標(biāo)準(zhǔn)配置的功能已然十分*，能滿足絕大多數(shù)研究的需要。在這基礎(chǔ)上，用戶還可以購(gòu)置不同的功能模塊，以滿足特殊的研究需要。

掃描電化學(xué)顯微鏡（SECM）主要技術(shù)參數(shù)

定位系統(tǒng)：XYZ 步進(jìn)控制系統(tǒng)

動(dòng)態(tài)范圍：25x25x25 mm（其他范圍可選）

大線掃速率：10mm/s

分辨率：20nm

掃描模式

• Feedback Mode 反饋模式

• GC Mode 產(chǎn)生收集模式

• Direct Mode 直接模式

• AC-SECM 微區(qū)阻抗模式

• 4D 模式

• Shearforce剪切力模式

探針掃描：

• 2D 掃描

• 3D 掃描

• 等間距掃描

• 快速等間距掃描

• 預(yù)設(shè)掃描

• 自編輯電化學(xué)程序掃描

掃描電化學(xué)顯微鏡（SECM）應(yīng)用領(lǐng)域

• 電化學(xué)動(dòng)力學(xué)研究

• 吸附/脫附現(xiàn)象和溶解過程的研究

• 液/液界面，液/氣界面，液/固界面以及重要的生物過程

• 局部腐蝕過程觀測(cè)

• 催化劑活性評(píng)價(jià)

• 傳感器表面活性成像

• 局部阻抗分析

• 生物膜酶活性研究

• 微納米尺度的金屬顆粒沉積(恒電流或無電沉積)

• 在水或有機(jī)溶液中材料表面上導(dǎo)電聚合物局部沉積

• 電化學(xué)刻蝕