光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是*的?？梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當(dāng)然，如果必須確定光學(xué)常數(shù)，則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。光譜橢偏儀特征：?基于Wi......

光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是*的?？梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當(dāng)然，如果必須確定光學(xué)常數(shù)，則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。

光譜橢偏儀特征：

?基于Window軟件，易于操作；

?的光學(xué)設(shè)計，實系統(tǒng)性能；

?高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應(yīng)用；

?基于陣列的探測器系統(tǒng)，確保快速測量；

?用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層；

?能夠用于實時或在線厚度，折射率監(jiān)測；

?系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫；

?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表，色散或有效介質(zhì)近似（EMA）；

?三種不同的用戶級別控制：工程師模式，系統(tǒng)服務(wù)模式和簡易用戶模式；

?靈活的工程模式，適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測試；

?*的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規(guī)測量；

?可按照用戶偏好配置測量參數(shù)，操作簡便；

?系統(tǒng)全自動校準(zhǔn)和初始化；

?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口，無需外部光學(xué)元件；

?精確的高度和傾斜程度調(diào)整；

?適用于許多不同類型的不同厚度的基材；

?各種選項，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長擴展，焦點等；

?2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面；

光譜橢偏儀應(yīng)用：

?半導(dǎo)體制造（PR，氧化物，氮化物......）

?液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）

?法醫(yī)學(xué)，生物學(xué)材料

?油墨，礦物學(xué)，顏料，調(diào)色劑

?制藥，科研

?光學(xué)涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......

?半導(dǎo)體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無定形，納米和硅晶圓

?太陽能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....

光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù)：

型號	SE200 (DUV-Vis)	SE300 (Vis)	SE450 (Vis-Nir)	SE500 (DUV-Vis-Nir)
探測器類型	CCD或CMOS陣列	CCD或CMOS陣列	CCD或CMOS和InGaAs陣列	CCD或CMOS和InGaAs陣列
波長范圍（nm）	190至1100	370至1100	370-1700	190-1700
波長點	測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義（數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制）
波長分辨率	0.01 -3nm	0.01 -3nm	0.01至3nm	0.01至3nm
數(shù)據(jù)采集時間	100毫秒到10秒，用戶自定義
入射角范圍	20至90度
入射角分辨率	帶手動測角儀的5度預(yù)設(shè)步驟，用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率，配有自動測角儀，適用于SExxx-BA配置
偏光光學(xué)	旋轉(zhuǎn)偏振器，分析器和/或補償器的組合
光束尺寸	準(zhǔn)直光束，光束尺寸可在1至5mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式（可拆卸）可用于減小光斑尺寸
光源	（D2 + TH）/氙	TH	TH	（D2 + TH）/氙
燈泡壽命	4000小時	10000小時	10000小時	4000小時
可測量的厚度范圍	高達30μm	20nm至50μm	20nm至50μm	高達50μm
厚度精度	<1?或0.1％
索引精度	優(yōu)于0.0001
厚度準(zhǔn)確度	優(yōu)于0.25％