　　在執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，應(yīng)使用日光過(guò)濾片來(lái)過(guò)濾氙燈光源，實(shí)現(xiàn)該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)光源的要求。日光過(guò)濾片是用來(lái)模擬戶外直射太陽(yáng)光常用的氙燈過(guò)濾系統(tǒng)，經(jīng)日光過(guò)濾片過(guò)濾的氙燈光源，接近實(shí)際的戶外光照環(huán)境，其光譜與太陽(yáng)光光譜之間的比較如圖1所示。因?yàn)?80nm或800nm以上的紅外光譜對(duì)于高分子材料的作用僅為熱效應(yīng)，在有黑板溫度控制的條件下，紅外光譜往往不被考慮。因此，新的光譜曲線一般僅描述紫外和可見(jiàn)光部分。

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　　圖1 帶有日光過(guò)濾片的Q-SUN氙燈光譜和CIE 85標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光光譜比較

　　輻照度設(shè)定

　　該標(biāo)準(zhǔn)的4.2節(jié)對(duì)試驗(yàn)箱中光譜的闡述為：地球表面的輻照度受太陽(yáng)常數(shù)及大氣層對(duì)其衰減和散射的影響，參照CIE 85，輻照度為1120w/m2。在標(biāo)準(zhǔn)的5.8節(jié)“試驗(yàn)設(shè)備"中也指出，輻照度應(yīng)為1120 W/m2(1±10%)，光譜能量分布參照表1。因此該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)輻照度的設(shè)定采用的是總輻照度的設(shè)定，即全光譜上的輻照度為1120w/m2。這種輻照度的定義沒(méi)有考慮到不同波段光線對(duì)材料老化的差異性，即波長(zhǎng)越短對(duì)材料的破壞力越強(qiáng)。新的標(biāo)準(zhǔn)中大多采用了點(diǎn)控制的方法，即采用340nm或420nm點(diǎn)控制，如ISO 4892-2：2013和ASTM G155—2013?？紤]到IEC 60068-2-5：2010模擬的是戶外直射太陽(yáng)光，建議使用340nm點(diǎn)控制，推薦Daylight-B/B日光過(guò)濾片，而輻照度設(shè)定為0.60W/m2@340nm。

　　二、溫度

　　標(biāo)準(zhǔn)的5.2節(jié)指出，箱體內(nèi)的溫度，不管是光照階段還是黑暗階段，都應(yīng)符合程序A，B或C的要求。而且指出，在光照階段，箱體內(nèi)的溫度應(yīng)以1K/min的速率上升或下降。

　　標(biāo)準(zhǔn)的7.1節(jié)又指出，在程序A中，箱體內(nèi)的溫度應(yīng)在光照階段之前2h開(kāi)始升溫。在程序A和B的黑暗階段，箱體內(nèi)的溫度應(yīng)以大約1K/min的速率下降，并保持在25℃。

　　程序A的一個(gè)循環(huán)是24h，包括8h光照和16h黑暗，重復(fù)進(jìn)行。程序B的一個(gè)循環(huán)也是24h，包括20h光照和4h黑暗，重復(fù)進(jìn)行。程序C是持續(xù)光照。每個(gè)程序的光照時(shí)間，黑暗時(shí)間，溫度要求如圖2所示。

　　上述5.2節(jié)和7.1節(jié)中對(duì)溫度上升或下降速率的描述，與圖2中溫度與時(shí)間的描述不符。如果按照5.2節(jié)和7.1節(jié)的要求，則在光照階段直接設(shè)置為40°C，在黑暗階段直接設(shè)置為25°C即可。

　　如果是按照?qǐng)D2中溫度上升、下降與時(shí)間的關(guān)系，在Q-SUN氙燈老化試驗(yàn)箱中則可按圖3的要求對(duì)溫度進(jìn)行設(shè)定。Q-SUN氙燈老化試驗(yàn)箱中具體的溫度與時(shí)間的關(guān)系見(jiàn)表2(Procedure A)、表3(Procedure B)和表4(Procedure C)。

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