詳細(xì)介紹
產(chǎn)品介紹
技術(shù)參數(shù):
? 10 µm 的 X 射線高強(qiáng)度、高速度的掃描分析。
樣品可以置于大氣中分析,的真空探針方式。
? 同軸觀察,可以從攝像系統(tǒng)中選取所需的測(cè)量點(diǎn),單鍵控制,放大倍數(shù)可至 100 倍。
? 可以對(duì)物質(zhì)表面和內(nèi)部構(gòu)造同時(shí)進(jìn)行分析。
? 主要應(yīng)用:WEEE/RoHS 法令中涉及的產(chǎn)品有害元素的測(cè)定、珠寶首飾的成份檢測(cè)、電子電路板的微區(qū)分析、考古或博物館中對(duì)古物的分析
? 同時(shí)也滿足科研院校在常規(guī)元素檢測(cè)方面的要求
可進(jìn)行樣品內(nèi)部從Na~ U的元素進(jìn)行定性、定量分析
2、X射線透射成像,可觀察樣品內(nèi)部細(xì)微構(gòu)造
3、多點(diǎn)自動(dòng)分析,一次可測(cè)99點(diǎn)
4、能做小至10μm的微區(qū)
5、兩種X射線聚焦導(dǎo)管快速切換,可選1.2mm和10μm或100μm
6、X射線與可見光同軸設(shè)計(jì),真正做到準(zhǔn)確定位測(cè)試部位,見即所得。
7、高純硅檢測(cè)器,保證高穩(wěn)定性及良好的性能
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