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北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司>>專(zhuān)業(yè)儀器>>TC-MODEL-3020煙(粉)塵濃度監(jiān)測(cè)儀TC-MODEL-3020

煙(粉)塵濃度監(jiān)測(cè)儀TC-MODEL-3020

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  • 型號(hào) TC-MODEL-3020
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  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 其他
  • 所在地 北京市

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更新時(shí)間:2019-11-26 22:58:35瀏覽次數(shù):337

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

煙(粉)塵濃度監(jiān)測(cè)儀TC-MODEL-3020

產(chǎn)品 編 號(hào):TC-008346
可用于各種污染排放源的顆粒污染物濃度實(shí)時(shí)連續(xù)測(cè)量,可配套煙氣監(jiān)測(cè)系統(tǒng),也可單*臺(tái)或幾臺(tái)連接成一套煙塵監(jiān)測(cè)網(wǎng)絡(luò),共用一個(gè)前臺(tái)

詳細(xì)介紹

煙(粉)塵濃度監(jiān)測(cè)儀TC-MODEL-3020

產(chǎn)品 編 號(hào):TC-008346
煙(粉)塵濃度監(jiān)測(cè)儀TC-MODEL-3020可用于各種污染排放源的顆粒污染物濃度實(shí)時(shí)連續(xù)測(cè)量,可配套煙氣監(jiān)測(cè)系統(tǒng),也可單*臺(tái)或幾臺(tái)連接成一套煙塵監(jiān)測(cè)網(wǎng)絡(luò),共用一個(gè)前臺(tái)。 儀器可適用于電廠(chǎng),鋼廠(chǎng),水泥廠(chǎng)等煙塵監(jiān)測(cè),也可用于除塵設(shè)備及其它粉體工程的過(guò)程控制. 
采用激光背散射原理,不怕煙道的機(jī)械振動(dòng)及煙氣溫度不均造成的折射率不均造成的光束擺動(dòng). 
單端安裝,無(wú)需光路對(duì)中. 
儀器設(shè)計(jì)貫徹“無(wú)工具”現(xiàn)場(chǎng)安裝的思路,zui大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)安裝的復(fù)雜度,儀器及防雨系統(tǒng)的安裝僅電器連接需要一支螺絲刀,不必帶連接螺栓、螺母,10分鐘內(nèi)即可完成安裝,zui大限度地減少由于現(xiàn)場(chǎng)安裝調(diào)試帶來(lái)的諸多問(wèn)題. 
采用標(biāo)準(zhǔn)4-20mA工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電流輸出,連接方便. 
儀器整體功耗非常小,大約5w左右. 
一般標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置參數(shù)可適用于煙道璧厚小于400,煙道直徑大于儀器標(biāo)示(D.GT. 2000),在特殊的要求條件下測(cè)量區(qū)大小可以訂制. 用戶(hù)也可以在經(jīng)維護(hù)人員的認(rèn)可及指導(dǎo)下調(diào)整. 
技術(shù)指標(biāo): 
尺寸、重量:                      160×160×250mm  4Kg 
環(huán)境要求:                        溫度:-40℃~65℃/相對(duì)濕度:0-*  R. H. 
測(cè)量誤差:                        ±2%FS 
介質(zhì)條件:                        溫度  zui高300℃(高溫需定制) 
信號(hào)輸出:                        4-20mA 
zui大輸出負(fù)載:                    500Ω 
靈敏度:                          2mg/m3 
測(cè)量范圍:                        zui小0-200mg/m3/zui大0-10g/m3 
可以測(cè)量煙囪大小:                1-15m 
功耗:                            3 W 
供電:                            DC 16-24V±10% 
可顯示數(shù)據(jù) 

 

 

 

產(chǎn)品名稱(chēng):維氏硬度計(jì) 
產(chǎn)品型號(hào):TDHV-50A

維氏硬度計(jì) 型號(hào):TDHV-50A

TDHV-50A型維氏硬度計(jì) 
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TDHV-50A型維氏硬度計(jì) 
該機(jī)采用無(wú)摩擦主軸,試驗(yàn)力精度高;構(gòu)造堅(jiān)固,測(cè)試效率高;高精度讀數(shù)測(cè)微計(jì)量系統(tǒng);試驗(yàn)過(guò)程自動(dòng)化,無(wú)人為操作誤差;精度符合GB/T4340.2  ISO6507-2 和美國(guó)ASTM E92。 
維氏硬度計(jì)主要適用范圍 
滲氮層、陶瓷、鋼、有色金屬;薄板、金屬薄片、電鍍層、微小試件;材料強(qiáng)度、熱處理、碳化層、脫碳層和淬火硬化層的深度;應(yīng)用范圍廣,特別適用于平行平面的精密測(cè)量。 
維氏硬度計(jì)主要技術(shù)參數(shù) 
TDHV-50A型維氏硬度計(jì) 
測(cè)量范圍:5-2900HV 
試 驗(yàn) 力:49.03、98.07、196.1、294.2、490.3牛頓 
              (1、5、10、20、30、50公斤力) 
試樣允許大高度:180毫米              壓頭中心至機(jī)壁距離:125毫米 
光學(xué)測(cè)微計(jì)放大倍數(shù):125倍,50倍     小檢測(cè)單位:1微米 
電     源:交流220V,50/60赫茲       外形尺寸:580 x 260 x 730毫米 
重     量:約90千克 
維氏硬度計(jì)主要附件 
大平試臺(tái): 1個(gè)            小平試臺(tái):        1個(gè) 
V型試臺(tái):  1個(gè)            金剛石角錐壓頭:1只 
標(biāo)準(zhǔn)維氏硬度塊:3塊

 

 

產(chǎn)品名稱(chēng):非接觸厚度電阻率測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào):JXNRT1

非接觸厚度電阻率測(cè)試儀型號(hào):JXNRT1 
一、測(cè)試原理 
1、電阻率測(cè)試探頭原理 
電阻率測(cè)試模塊是由一對(duì)共軸渦流傳感器,以及后續(xù)的處理電路組成。將半導(dǎo)體硅片置于兩個(gè)探頭的間隙中時(shí),在電磁場(chǎng)的作用下,半導(dǎo)體硅片中會(huì)產(chǎn)生渦流效應(yīng),通過(guò)檢測(cè)渦流效應(yīng)的大小,可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無(wú)損測(cè)量的方法,不損傷材料表面,可以在大多數(shù)場(chǎng)合有效替代四探針?lè)y(cè)試電阻率以及方塊電阻。 
2、厚度測(cè)試探頭原理 
厚度探頭采用的是一對(duì)共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復(fù)性好,測(cè)試數(shù)值穩(wěn)定,技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn),廣泛用于各種材料厚度的測(cè)試。 
  
二、適用范圍 
本設(shè)備為非接觸無(wú)損測(cè)量設(shè)備,測(cè)試過(guò)程中對(duì)硅片表面以及內(nèi)部不會(huì)造成損傷。特別適用于代替四探針?lè)ㄓ糜诎雽?dǎo)體硅片成品分選檢驗(yàn)。一臺(tái)儀器可以同時(shí)對(duì)厚度和電阻率兩個(gè)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試分選,減少了測(cè)試工序和測(cè)試時(shí)間,提高了測(cè)試效率。 
典型的客戶(hù):科研單位、硅片生產(chǎn)廠(chǎng)商、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠(chǎng)商、光伏企業(yè)、導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)企業(yè)。 
三、儀器構(gòu)成 
1、測(cè)試主機(jī):1 臺(tái) 
2、電源線(xiàn):1 根 
3、串口數(shù)據(jù)線(xiàn):1 根 
4、電腦端軟件:1 套 
5、塑料定位柱:2 個(gè) 

四、儀器外觀(guān)尺寸結(jié)構(gòu)及圖片 
1、整機(jī)尺寸:340*260*180mm 
2、機(jī)箱顏色:電腦白 


3、儀器結(jié)構(gòu):本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。 
五、儀器主要指標(biāo) 
1、電氣規(guī)格 
a. 使用標(biāo)準(zhǔn)三插頭,由 220V 交流電供電,整機(jī)功耗小于 15 瓦。 
b. 本儀器測(cè)試平臺(tái)和外殼均為金屬材料,按照安全規(guī)范,請(qǐng)確保電源地線(xiàn)正確連接。 
2、測(cè)試范圍 
測(cè)試樣品要求:厚度小于 600um 的半導(dǎo)體硅片以及其他類(lèi)似材料。(為客戶(hù)提供特殊定制,厚度大的測(cè)試范圍可以擴(kuò)展到 800um) 
電阻率范圍: L 檔: 0.2-5 Ω·cm 
H 檔: 5-50 Ω·cm 
注: 電阻率不在上述量程范圍內(nèi)的可以按要求調(diào)整, 調(diào)整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。 
厚度范圍: 100-600 um (定制版可以做到 300-800um) 注:普通版本厚度大于 700um 的硅片無(wú)法放入測(cè)試區(qū)域。

 

 

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