數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號：ZD-LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                        
      數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀該設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

DZ-LT-100C有以下特點：
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍     0.25μS—10ms     

數(shù)顯陶瓷彎曲強度試驗儀 型號： SGW
    本儀器適合GB6569-2006《精細陶瓷彎曲強度試驗方法》，GB1965《多孔陶瓷抗彎強度試驗方法》，適用于作機械部件、結(jié)構(gòu)材料等高強度工程陶瓷在室溫下三點彎曲強度的測定，也適用于玻璃、耐火材料、保溫材料等非金屬材料的彎曲強度(即抗折強度）測試. 
主要技術(shù)參數(shù)： 
1、zui大載荷：10000、20000、50000（N）； 
2、加荷速度：5～700（N/S）可調(diào)； 
3、數(shù)據(jù)微電腦處理，精度0.5%； 
4、三相380V，1.5KW;

新宇宙 手持式可燃氣體檢測儀 可燃氣體檢測儀型號：XP-311II

手持式可燃氣體檢測儀特點：

☆簡潔方便的大按鈕操作，一目了然的模擬指針式顯示，更易于使用

☆基于成熟且成功的XP-311A，專為中國市場設(shè)計。更經(jīng)濟，更*。

☆具有電量不足、傳感器故障、泵故障報警提示功能

☆具有高/低量程切換功能

☆具有內(nèi)置泵自動采樣功能

☆具有零點調(diào)整功能  

手持式可燃氣體檢測儀規(guī)格：

型     號XP-311II (帶報警)

檢測對象氣體可燃性氣體

檢 測 原 理催化燃燒式

采 樣 方 法內(nèi)置泵自動吸引式

檢 測 范 圍0～10%LEL / 0～*LEL

指 示 精 度滿量程的±2%

報 警 設(shè) 定 值20%LEL  

報 警 fang 式蜂鳴器鳴叫，紅色報警deng閃爍

響 應(yīng) 時 間10秒以內(nèi)

使用溫度范圍-40°C～+70°C

電      源5號干電池4只

防 爆 結(jié) 構(gòu)Exibd II BT3(本安防爆設(shè)計加隔爆)

尺     寸W79×H161×D43.5（mm）

重      量約480g（含電池）

附屬品便攜包、背帶、4節(jié)5號干電池、橡膠頭（AT-2）、排污過濾器（DF-112）、過濾片（2片）