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RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備-CSE

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南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

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RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納華林科納濕法處理設(shè)備是國內(nèi)致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位

詳細(xì)介紹

RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納

華林科納濕法處理設(shè)備是國內(nèi)致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備

設(shè) 備名稱	南通華林科納-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)
使用對(duì) 象	硅晶片2-12inch
適用領(lǐng) 域	半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等
設(shè) 備用途	硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備
主體構(gòu)造特點(diǎn)	1. 設(shè)備包括：設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。 2.設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中 3.主體：設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中； 4.骨架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。 5.儲(chǔ)物區(qū)：位于工作臺(tái)面左側(cè)，約280mm寬，儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐； 6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制； 7.工藝槽：模組化設(shè)計(jì)，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn)； 8.管路系統(tǒng)：位于設(shè)備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放； 9.電氣保護(hù)：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均經(jīng)PFA防腐隔絕處理，電氣柜CDA/N2充氣保護(hù)其中的電器控制元件； 10.排風(fēng)：后部排風(fēng)和下沉式設(shè)計(jì)，風(fēng)量可調(diào)節(jié)，對(duì)操作員有安全保護(hù)； 11.送風(fēng)：設(shè)備頂部有FFU百級(jí)凈化送風(fēng)裝置，設(shè)備沿前側(cè)板鑲嵌入墻體，保證后上部送風(fēng)； 12.照明：工作區(qū)頂部配有雙光日光燈照明； 13.水：機(jī)臺(tái)前部配備有PTFE純水槍和PTFE氮各1只置于右側(cè)，方便操作員手工清洗槽體或工件； 14.機(jī)臺(tái)支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且有高低調(diào)整及鎖定功能。 15.安全保障：*的報(bào)警和保護(hù)設(shè)計(jì)，排風(fēng)壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖，直觀的操作界面，清晰的信息提示，保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示燈置于機(jī)臺(tái)上方明顯處。
設(shè)備制造商	南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司；

RCA 清洗工藝過程及原理：

半導(dǎo)體制程中需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進(jìn) 行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對(duì)硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機(jī)物、金屬污染物及氧化物。一個(gè)硅片表面具有多個(gè)微芯片，每個(gè)芯片又差不多有數(shù)以百萬計(jì)的器件和互連線路，它們對(duì)玷污都非常敏感。玷污經(jīng)常導(dǎo)致有缺陷的芯片。致命的缺陷是導(dǎo)致硅片上的芯片無法通過電學(xué)測(cè)試的原因。據(jù)統(tǒng) 計(jì)， 80% 的芯片電學(xué)失效是由玷污帶來的缺陷引起的［2］。硅片清洗的目標(biāo)是去除所有表面玷污: 顆粒、金屬雜質(zhì)、有機(jī)物玷污、自然氧化層。

RCA 是一種典型的、至今仍為使用的濕式化學(xué)清洗法，華林科納半導(dǎo)體的清洗設(shè)備就是以濕法腐蝕清洗為主，并且該設(shè)備也得到了很多企業(yè)的工程師的認(rèn)可。該清洗法主要包括以下幾種清洗液。

( 1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ～ 150) ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。

2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ～ 25) ℃ DHF 可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí) DHF 抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的 Al，F(xiàn)e，Zn，Ni 等金屬，DHF 也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

( 3 ) APM ( SC － 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ～ 80) ℃由于 H2O2 的作用，硅片表面有一層自然氧化膜( SiO2 ) ，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時(shí)，H2O2 又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

( 4) HPM( SC － 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ～ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。

5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水，UPW 采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的沖洗液［3］。

RCA 清洗附加超聲能量后，可減少化學(xué)品及 DI 水的消耗量，縮短晶片在清洗液中的浸蝕時(shí)間，減輕濕法清洗的各向同性對(duì)積體電路特征的影響，增加清洗液使用壽命。

半導(dǎo)體RCA腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納；

關(guān)鍵詞：清洗機(jī) FFU

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