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RCA濕法腐蝕清洗機設(shè)備-CSE

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更新時間：2025-02-13 08:14:05瀏覽次數(shù)：309次

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南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡介

RCA濕法腐蝕清洗機設(shè)備——華林科納華林科納濕法處理設(shè)備是國內(nèi)致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位

詳細介紹

RCA濕法腐蝕清洗機設(shè)備——華林科納

華林科納濕法處理設(shè)備是國內(nèi)致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設(shè)備

設(shè) 備名稱	南通華林科納-RCA濕法腐蝕清洗機
使用對象	硅晶片2-12inch
適用領(lǐng) 域	半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等
設(shè) 備用途	硅晶片化學腐蝕和清洗的設(shè)備
主體構(gòu)造特點	1. 設(shè)備包括：設(shè)備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。 2.設(shè)備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中 3.主體：設(shè)備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中； 4.骨架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。 5.儲物區(qū)：位于工作臺面左側(cè)，約280mm寬，儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐； 6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制； 7.工藝槽：模組化設(shè)計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險； 8.管路系統(tǒng)：位于設(shè)備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放； 9.電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均經(jīng)PFA防腐隔絕處理，電氣柜CDA/N2充氣保護其中的電器控制元件； 10.排風：后部排風和下沉式設(shè)計，風量可調(diào)節(jié)，對操作員有安全保護； 11.送風：設(shè)備頂部有FFU百級凈化送風裝置，設(shè)備沿前側(cè)板鑲嵌入墻體，保證后上部送風； 12.照明：工作區(qū)頂部配有雙光日光燈照明； 13.水：機臺前部配備有PTFE純水槍和PTFE氮各1只置于右側(cè)，方便操作員手工清洗槽體或工件； 14.機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且有高低調(diào)整及鎖定功能。 15.安全保障：*的報警和保護設(shè)計，排風壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖，直觀的操作界面，清晰的信息提示，保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示燈置于機臺上方明顯處。
設(shè)備制造商	南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司；

RCA 清洗工藝過程及原理：

半導(dǎo)體制程中需要一些有機物和無機物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。一個硅片表面具有多個微芯片，每個芯片又差不多有數(shù)以百萬計的器件和互連線路，它們對玷污都非常敏感。玷污經(jīng)常導(dǎo)致有缺陷的芯片。致命的缺陷是導(dǎo)致硅片上的芯片無法通過電學測試的原因。據(jù)統(tǒng) 計， 80% 的芯片電學失效是由玷污帶來的缺陷引起的［2］。硅片清洗的目標是去除所有表面玷污: 顆粒、金屬雜質(zhì)、有機物玷污、自然氧化層。

RCA 是一種典型的、至今仍為使用的濕式化學清洗法，華林科納半導(dǎo)體的清洗設(shè)備就是以濕法腐蝕清洗為主，并且該設(shè)備也得到了很多企業(yè)的工程師的認可。該清洗法主要包括以下幾種清洗液。

( 1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ～ 150) ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。

2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ～ 25) ℃ DHF 可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時 DHF 抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的 Al，F(xiàn)e，Zn，Ni 等金屬，DHF 也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

( 3 ) APM ( SC － 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ～ 80) ℃由于 H2O2 的作用，硅片表面有一層自然氧化膜( SiO2 ) ，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時，H2O2 又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

( 4) HPM( SC － 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ～ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。

5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水，UPW 采用臭氧化的水稀釋化學品以及化學清洗后晶片的沖洗液［3］。

RCA 清洗附加超聲能量后，可減少化學品及 DI 水的消耗量，縮短晶片在清洗液中的浸蝕時間，減輕濕法清洗的各向同性對積體電路特征的影響，增加清洗液使用壽命。

半導(dǎo)體RCA腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納；

關(guān)鍵詞：清洗機 FFU

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