干燥設備 粉碎設備 混合設備 反應設備 過濾分離設備 過濾材料 滅菌設備 萃取設備 貯存設備 傳熱設備 鍋爐 塔設備 結晶設備 其它制藥設備
南通華林科納半導體設備有限公司
南通華林科納半導體設備有限公司
| 參 考 價 | 面議 |
產品型號
品 牌
廠商性質生產商
所 在 地南通市
聯(lián)系方式：嚴先生查看聯(lián)系方式
更新時間：2025-02-13 08:08:43瀏覽次數(shù)：369次
聯(lián)系我時，請告知來自 制藥網(wǎng)暫無信息 |
RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA實驗室的，并由此而得名
RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室的，并由此而得名。RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法，是去除硅片表面各類玷污的有效方法，所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統(tǒng)。 該清洗系統(tǒng)主要包括以下幾種藥液： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗基本步驟：化學清洗—漂洗—烘干。 硅片經過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般硅片表面沾污大致可分在三類： 1、有機雜質沾污：可通過有機試劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術來去除。 2、顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。 3、金屬離子沾污：必須采用化學的方法才能清洗其沾污。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷阱"，也會引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時使硅片表面鈍化。 濕法清洗設備就是在這些工序的基礎上很好地運用了這些原理，對有機物、金屬顆粒都能有效去除，為后期各芯片的制作打下堅實的基礎. 化學品相關濕法腐蝕相關設備（RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等），,.
您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
制藥網(wǎng) 設計制作，未經允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
赤峰市|
长丰县|
景德镇市|
苏州市|
桂阳县|
平南县|
永寿县|
喀什市|
安达市|
拉孜县|
阿图什市|
阿鲁科尔沁旗|
樟树市|
花垣县|
吉水县|
磐石市|
本溪市|
乾安县|
禄劝|
平泉县|
宜兰县|
岳池县|
麻城市|
辽宁省|
鄱阳县|
静海县|
绥宁县|
长兴县|
长治市|
德州市|
仙居县|
汉源县|
巨鹿县|
阜南县|
若羌县|
保康县|
巴林左旗|
贺州市|
城口县|
普定县|
元阳县|