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伯東企業(yè)（上海）有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地上海市
聯(lián)系方式：葉南晶查看聯(lián)系方式
更新時間：2021-12-28 14:50:51瀏覽次數(shù)：307次
聯(lián)系我時，請告知來自 制藥網(wǎng)| 產(chǎn)地 | 進口 | 產(chǎn)品新舊 | 全新 |
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在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10"CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)
型號 | RFICP 100 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 |
離子束流 | >350 mA, 可以達到 400 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 10 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐 中國臺灣伯東: 王小姐
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