TESCAN Ga離子雙束掃描電鏡

主要特點

TriglavTM-新設計的超高分辨（UHR）電子鏡筒配置了TriglavTM物鏡和*的探測系統(tǒng)

以*的方式結合了三透鏡物鏡和crossover-free模式

*的且可隨意變化的探測系統(tǒng)可用于同步獲取不同的信號

超高的納米分辨率：15keV下0.7nm，1keV下1nm

極限超高分辨率：1keV下1nm

可變角度的BSE探測器，優(yōu)化了低能量下能量反差

實時電子束追蹤(In-flight Beam TracingTM）實現(xiàn)了電子束的優(yōu)化

傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路（Wide Field OpticalTM）設計提供了不同的工作和顯示模式

有效減少熱能損耗，的電子鏡筒的穩(wěn)定性

新款的肖特基場發(fā)射電子槍現(xiàn)在能實現(xiàn)電子束電流達到400nA，且電子束能量可快速的改變

為失效分析檢測過程中的新技術節(jié)點提供了*的解決方案

適合精巧的生物樣品成像

可觀察磁性樣品

優(yōu)化的鏡筒幾何學配置使得8’’晶元觀察成為可能（SEM觀察和FIB納米加工）

*的實時三維立體成像，使用了三維電子束技術

友好的，成熟的SW模塊和自動化程序

Cobra FIB鏡筒：高性能的Ga FIB鏡筒，實現(xiàn)超高精度納米建模

在刻蝕和成像方面是水平的技術

Cobra保證在短時間內完成剖面處理和TEM樣品制備

FIB分辨率<2.5nm

FIB-SEM斷層分析可應用于高分辨的三維顯微分析

適合生物樣品的三維超微結構研究，例如組織和完整的細胞

低電壓下的性能，適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層

TESCAN Ga離子雙束掃描電鏡應用 

半導體

超細減薄TEM薄片厚度小于15nm，用于進行小于14nm工藝節(jié)點的失效分析

通過平面去層級化的手段對三維集成電路板進行失效分析

三維集成電路板的原型設計和電路修改

電子束敏感結構材料的成像，如低電子束能量下的晶體管層，光阻材料等

用于*三維結構分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術

通過在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進行TEM薄片的原位分析

6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗及分析

無失真的高分辨EBSD

集成電路板和薄層測量下具有開創(chuàng)性及精確的原型設計，離子束光刻(IBL)以及失效分析

通過結合FIB技術及電子束蝕刻(EBL)來進行細小的特殊結構的刻蝕及鍍膜。

材料科學

非導電材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像

納米材料如納米管和納米環(huán)的表征

通過切片分析進行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析

通過電子束蝕刻或聚焦離子束誘導沉積的方式進行納米結構如納米盤，觸體和霍爾探針的制造。

磁性樣品的成像

用于分析磁性材料磁化動力學及其疇壁運動的自旋電子結構的樣品制備

通過TOF-SIMS分析進行同位素及具有類似相當質量的元素種類的鑒別

通過TOF-SIMS包括三維重構進行鋰離子電極的貫穿分析

通過元素分布，相分布及晶體取向進行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段

通過二次離子成像進行腐蝕生長學的研究

特定應用下的TEM薄片的樣品制備