TESCAN MAIA3超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
 

MAIA3 model 2016在低電壓下也有*的性能，尤其對(duì)電子束敏感的半導(dǎo)體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合研究不導(dǎo)電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品。

主要特點(diǎn)：

TriglavTM——新開(kāi)發(fā)的超高分辨電子光學(xué)鏡筒并配備TriLensTM物鏡及*的探測(cè)系統(tǒng)

超高分辨率物鏡（60度浸沒(méi)式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無(wú)漏磁分析物鏡，重新設(shè)計(jì)用于超大視場(chǎng)觀察的中間鏡。

*的電子束無(wú)交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合，獲得了的成像性能

傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設(shè)計(jì)提供各種工作和顯示模式

全新的EquiPower™技術(shù)進(jìn)一步提高電子束的穩(wěn)定性

新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流高達(dá)400nA并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變

通過(guò)擴(kuò)展樣品室和支架能達(dá)到12”晶圓的SEM觀察

TriBETM技術(shù)具有三個(gè)BSE探測(cè)器，可以選擇不同角度的信號(hào)進(jìn)行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測(cè)器，用于檢測(cè)中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測(cè)器用于探測(cè)大角度范圍的背散射電子。并且這三個(gè)探測(cè)器能探測(cè)到低于200eV的低能背散射信號(hào)，綜合在一起，他們可以提供各種不同襯度的圖像

TESCAN MAIA3超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡TriSETM技術(shù)具有三個(gè)SE探測(cè)器，對(duì)所有工作模式下采集二次電子信號(hào)都進(jìn)行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測(cè)器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測(cè)器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測(cè)器能提供形貌襯度

電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）

電子束實(shí)時(shí)追蹤技術(shù)可對(duì)電子束實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)優(yōu)化

擴(kuò)展的低真空模式樣品室氣壓能達(dá)到500Pa，可用于不導(dǎo)電樣品的成像

超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV

浸沒(méi)式物鏡系統(tǒng)和無(wú)交叉電子束模式結(jié)合在一起，可在低能量下實(shí)現(xiàn)超高分辨成像。浸沒(méi)式物鏡能在樣品周圍產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)，顯著降低了像差。而無(wú)交叉電子束模式則降低了Boersch效應(yīng)，對(duì)電子束進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化，終達(dá)到1.0nm @1keV的超高分辨率。

低電壓和超低電壓成像

電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式（BDM），以及在這個(gè)模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號(hào)的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下，通過(guò)加在樣品臺(tái)上的負(fù)偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。低的著陸電壓可以降低到50eV(在手動(dòng)控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變，增強(qiáng)了電子鏡筒的性能，因而在低電壓下可以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導(dǎo)電樣品成像時(shí)出現(xiàn)的放電效應(yīng)，也有利于對(duì)那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀察。在這個(gè)模式下，可以達(dá)到對(duì)于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率