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深圳市邁昂科技有限公司>>>>T3Ster熱阻測(cè)試儀

T3Ster熱阻測(cè)試儀

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更新時(shí)間:2018-11-07 13:18:54瀏覽次數(shù):9293

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T3Ster熱阻測(cè)試儀運(yùn)用*的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法(JESD51-1),專(zhuān)業(yè)測(cè)試各類(lèi)IC(包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等)、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專(zhuān)為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。

詳細(xì)介紹

T3Ster熱阻測(cè)試儀是MicReD研發(fā)制造的*的熱測(cè)試儀,用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于*的JEDEC ‘Static Method’測(cè)試方法(JESD51-1),通過(guò)改變電子器件的輸入功率,使得器件產(chǎn)生溫度變化,在變化過(guò)程中,T3Ster測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線,僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。T3Ster測(cè)試技術(shù)不是基于“脈沖方法”的熱測(cè)試儀,“脈沖方法”由于是基于延時(shí)測(cè)量的技術(shù)所以其測(cè)出的溫度瞬態(tài)測(cè)試曲線精度不高,而T3Ster 采用的是“運(yùn)行中”的實(shí)時(shí)測(cè)量的方法,結(jié)合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態(tài)曲線。


運(yùn)用*的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法(JESD51-1),專(zhuān)業(yè)測(cè)試各類(lèi)IC(包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等)、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專(zhuān)為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。

T3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法,其原理為:
1) 首先通過(guò)改變電子器件的功率輸入;
2) 通過(guò)TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數(shù))測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線;
3) 對(duì)溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理,抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù);
4) 從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。

 

T3Ster熱阻測(cè)試儀設(shè)備參數(shù)

●   加熱電壓范圍:標(biāo)配1-10V,不確定度小于±1%。選配功率放大器,大電壓可達(dá)280V
●   加熱電流范圍:標(biāo)配0.01-2A,不確定度小于±1%。選配功率放大器,大電流達(dá)100A或更大
●   加熱功率脈沖:無(wú)時(shí)間限制
●   熱阻測(cè)量范圍:0.002-1000℃/W,不確定度小于±1%
●   測(cè)試通道數(shù)量:標(biāo)配2通道,同一主機(jī)箱內(nèi)可以升級(jí)至8通道
●   溫度采集響應(yīng)時(shí)間:1μs
●   溫度測(cè)量精度:±0.01℃
●   通道測(cè)量解析度:12bit
●   通道噪聲:±1bit
●   取樣容量:每個(gè)通道64k

應(yīng)用范圍

●   各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件,包括:常見(jiàn)的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
●   各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) 。
●   各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試,如熱管、風(fēng)扇等。
●   半導(dǎo)體器件結(jié)溫測(cè)量。
●   半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測(cè)量。
●   半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析,包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)(芯片+焊接層+熱沉等)的熱阻和熱容參數(shù)。
●   半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷,幫助用戶準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)。
●   材料熱特性測(cè)量(導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容)。
●   接觸熱阻測(cè)量,包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測(cè)試。

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