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新品技術(shù)解碼|Avio 3000 ICP-OES的HeliPlate等離子體技術(shù):無需冷卻裝置實現(xiàn)等離子體穩(wěn)定性最大化

發(fā)布時間:2026-8-21
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  引言  
 
  Avio® 3000作為珀金埃爾默ICP-OES產(chǎn)品線的最新成員,重新定義了真正的全譜直讀型ICP-OES技術(shù),在保持運營成本可控的同時,每天每次運行都能提供高速分析與準確可靠的數(shù)據(jù)。
 
  這得益于新一代技術(shù)的全面應(yīng)用:
 
  等離子體系統(tǒng)
 
  光學系統(tǒng)
 
  檢測器
 
  三大核心子系統(tǒng)均經(jīng)過重新設(shè)計,以卓越性能實現(xiàn)高效運行。本技術(shù)說明重點介紹等離子體技術(shù)的最新創(chuàng)新原理。關(guān)于Avio 3000 ICP-OES其他主要組件的詳細信息,可參閱相關(guān)文獻1,2。
 
  核心優(yōu)勢
 
  •  風冷設(shè)計,無需冷卻裝置
 
  •  長壽命,無需更換
 
  •  產(chǎn)生穩(wěn)定耐用的等離子體
 
  •  運行功率遠低于設(shè)計容量
 
  •  創(chuàng)新電子技術(shù)與無冷卻裝置設(shè)計降低能耗
 
  •  減少氬氣消耗
 
  在ICP-OES分析中,等離子體的穩(wěn)定性與耐用性至關(guān)重要。傳統(tǒng)方法通過氬氣流經(jīng)螺旋銅質(zhì)射頻感應(yīng)線圈內(nèi)的同心石英管(ICP炬管)產(chǎn)生等離子體。形成的氬等離子體溫度可達10,000K,能夠?qū)崿F(xiàn)樣品中化合物的完全原子化。
 
  等離子體技術(shù)的重大突破始于珀金埃爾默Optima™ 8300 ICP-OES采用的FlatPlate™等離子體技術(shù),該技術(shù)以兩塊免維護鋁板取代銅質(zhì)感應(yīng)線圈,無需冷卻,降低了維護與耗材成本。
 
  Avio 3000 ICP-OES進一步引入專利HeliPlate™等離子體技術(shù),作為第二代平板技術(shù),在傳統(tǒng)螺旋感應(yīng)線圈設(shè)計基礎(chǔ)上實現(xiàn)了更多優(yōu)勢。
 
  提升效率與可靠性  
 
  HeliPlate等離子體技術(shù)保持免維護特性,并與創(chuàng)新的風冷電子振蕩電路協(xié)同工作。這意味著Avio 3000無需冷卻裝置或循環(huán)水浴即可運行,從而在減少成本、維護、發(fā)熱量、噪音、重量和碳足跡的同時,占用更少的實驗室空間(如圖1所示)。
 
  HeliPlate技術(shù)即使在最高射頻功率下,振蕩器仍遠低于其設(shè)計容量運行,延長了振蕩器壽命與可靠性。相比傳統(tǒng)螺旋線圈系統(tǒng),該技術(shù)降低了電能消耗與氬氣流量,減少了氬氣用量。無需冷卻裝置帶來的能耗降低、空調(diào)需求減少以及氬氣消耗下降,共同降低了實驗室成本與環(huán)境影響。

圖1.Avio 3000 ICP-OES中的HeliPlate等離子體技術(shù)示意圖

 

  表1.Avio 3000 ICP-OES為實驗室?guī)淼膬?yōu)勢

 

 
  HeliPlate技術(shù)通過獨特的幾何結(jié)構(gòu)設(shè)計(圖1)實現(xiàn)更高的等離子體穩(wěn)定性與耐用性:兩塊特殊形狀的鋁板產(chǎn)生獨特形態(tài)的等離子體,在兼容所有進樣系統(tǒng)與流量的同時,相比傳統(tǒng)等離子體降低了氬氣消耗。
 
  穩(wěn)定等離子體應(yīng)對各類基質(zhì)  
 
  HeliPlate技術(shù)在不同基質(zhì)切換時表現(xiàn)出優(yōu)異的功率穩(wěn)定性。在連續(xù)交替進樣高酸、高鹽、空氣和水等多種復雜基質(zhì)24小時的過程中,設(shè)定功率偏差始終保持在1%以內(nèi)(圖2)。盡管空氣和水屬于簡單基質(zhì),但它們對等離子體的影響與高酸、高鹽基質(zhì)截然不同。在進樣高酸或高鹽后切換至空氣或水時,等離子體功率變化小于1%,表明振蕩器在不同基質(zhì)下具有高度一致性。等離子體功率的穩(wěn)定性確保了原子化、電離和激發(fā)過程不受基質(zhì)影響,從而提升分析穩(wěn)定性。

圖2.24小時內(nèi)交替進樣高酸、高鹽、水、空氣時的等離子體功率反饋變化(點擊查看大圖)

 

  為驗證高鹽基質(zhì)下的等離子體穩(wěn)定性,在默認等離子體功率下對15% NaCl鹽水進行了8小時連續(xù)分析(表2)。待測元素波動幅度小于±10%,表明等離子體在1100W功率下具有顯著穩(wěn)定性。
 
  表2.圖3中15% NaCl穩(wěn)定性測試的等離子體條件

 



圖3.15% NaCl溶液中8小時穩(wěn)定性測試結(jié)果(點擊查看大圖)

 

  揮發(fā)性溶劑耐受性  
 
  HeliPlate技術(shù)在分析揮發(fā)性有機溶劑時同樣表現(xiàn)出強大的等離子體耐受性。隨著溶劑沸點降低,霧化室中溶劑蒸發(fā)會增加等離子體的蒸汽負載。這些額外氣體進入等離子體可能使其偏離射頻場范圍導致熄滅。然而,HeliPlate技術(shù)產(chǎn)生的穩(wěn)定等離子體即使面對高揮發(fā)性溶劑仍能保持點燃。圖4展示了在未使用冷卻霧化室的情況下,以1mL/min速率進樣二氯甲烷(沸點40℃)時的等離子體狀態(tài)。

圖4.以1mL/min速率進樣二氯甲烷時的等離子體狀態(tài)(未使用冷卻霧化室)

 

  另一種驗證等離子體耐受性的方法是通過進樣不同基質(zhì)并監(jiān)測功率變化。極端案例如交替向等離子體引入甲醇、空氣和水。如圖5所示,在25小時內(nèi)交替進樣甲醇、空氣、水和空氣的過程中,等離子體功率變化始終小于1%。盡管進樣基質(zhì)差異極大,這種低功率波動充分體現(xiàn)了HeliPlate等離子體技術(shù)的穩(wěn)定性。

圖5.24小時內(nèi)交替進樣甲醇、空氣、水時的等離子體功率反饋變化

 

  免維護等離子體系統(tǒng)  
 
  傳統(tǒng)螺旋感應(yīng)線圈由銅制成,易氧化磨損并需定期更換。而創(chuàng)新的HeliPlate技術(shù)采用高品質(zhì)鋁材制造,其散熱面積大于螺旋線圈,無需冷卻。即使在最大功率下長時間運行,HeliPlate組件仍保持如新,無老化跡象。無需冷卻且無性能衰減的設(shè)計減少了停機時間與維護成本。
 
  無接觸點火技術(shù)  
 
  Avio 3000 ICP-OES配備非接觸式點火系統(tǒng)。傳統(tǒng)點火器可能因意外偏移導致點火失敗,需耗時排查問題。無接觸系統(tǒng)徹底避免了此類故障,實現(xiàn)高于99%的點火成功率,且無需在炬管玻璃上開孔(其他炬管設(shè)計的常見做法),杜絕了空氣卷入冷卻等離子體的可能性,從而減少樣品基質(zhì)對等離子體的影響。
 
  結(jié)論  
 
  創(chuàng)新的HeliPlate等離子體技術(shù),在成熟的FlatPlate振蕩器設(shè)計基礎(chǔ)上進一步升級,不僅無需配備冷卻裝置,更在提升等離子體穩(wěn)定性的同時,實現(xiàn)了更低的噪音、成本、維護需求、環(huán)境影響與實驗室空間占用,并延續(xù)了氬氣消耗量低、免維護、無需冷卻等固有優(yōu)勢。
 
  參考文獻
 
  "The Avio 3000 ICP-OES Optical System: Measuring Low Concentrations with Higher Confidence", PerkinElmer Technical Note, 2026.
 
  "The Avio 3000 ICP-OES Detector: Boosting Speed and Precision with Next-Generation Technology", PerkinElmer Technical Note, 2026.

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