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ICP-OES 分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)

發(fā)布時間：2020-05-21

　　高純度精煉的鎵(Ga)是半導(dǎo)體化合物砷化鎵的主要原料，可用作高溫溫度計的填充物、溫度標(biāo)準物質(zhì)及熔點較低的合金材料，是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)*的元素之一，隨著高純度鎵的需求增大，對雜質(zhì)含量的檢驗成為*的環(huán)節(jié)。本文建立了利用ICP-OES分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質(zhì)的解決辦法。

提供商	珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司	下載次數(shù)	0次
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