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NexION 300S ICP-MS 對光刻膠中的Si的分析

發(fā)布時間：2020-05-21

　　使用ICP、ICP-MS分析時存在光學(xué)干擾，而儀器的結(jié)構(gòu)又決定了Si的檢出限比其他元素更高，所以為了分析低濃度的Si，必須去除光學(xué)干擾或更換儀器進樣系統(tǒng) ( 霧室、霧化器、中心管、炬管 )。

　　本實驗的目的是利用NexION 的 DRC模式確定分析Si的佳條件。

提供商	珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司	下載次數(shù)	0次
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NexION 300S ICP-MS 對光刻膠中的Si的分析

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