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硅橡膠片介電常數(shù)測(cè)試儀

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  • 型號(hào) GDAT-A
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  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

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更新時(shí)間:2020-03-05 15:18:17瀏覽次數(shù):563

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
自動(dòng)化程度 全自動(dòng)    
硅橡膠片介電常數(shù)測(cè)試儀 高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,為了提高測(cè)量精度,除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。

詳細(xì)介紹

硅橡膠片介電常數(shù)測(cè)試儀 ,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

BH916測(cè)試裝置

GDAT高頻Q表

平板電容極片

Φ50mm/Φ38mm可選

頻率范圍

20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

間距可調(diào)范圍

≥15mm

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距

25mm±0.01mm

主電容調(diào)節(jié)范圍

30-500/18-220pF

測(cè)微桿分辨率

0.001mm

主調(diào)電容誤差

<1%或1pF

夾具損耗角正切值

≦4×10-4 (1MHz)

Q測(cè)試范圍

2~1023

 

硅橡膠片介電常數(shù)測(cè)試儀  LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào)

測(cè)試頻率

Q值

分布電容p

電感值

9

100KHz

98

9.4

25mH

8

400KHz

138

11.4

4.87mH

7

400KHz

202

16

0.99mH

6

1MHz

196

13

252μH

5

2MHz

198

8.7

49.8μH

4

4.5MHz

231

7

10μH

3

12MHz

193

6.9

2.49μH

2

12MHz

229

6.4

0.508μH

1

25MHz
50MHz

233
211

0.9

0.125μH

 

技術(shù)指標(biāo)和功能以隨機(jī)說(shuō)明書(shū)為準(zhǔn)

平板電容極片:Φ50mm/Φ38mm可選

間距可調(diào)范圍:≥15mm  

頻率范圍     :   20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

頻率指示誤差:3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距:25mm±0.01mm

主電容調(diào)節(jié)范圍:30-500/18-220pF

測(cè)微桿分辨率:0.001mm

主調(diào)電容誤差:<1%或1pF

夾具損耗角正切值:≦4×10-4 (1MHz)

Q測(cè)試范圍:2~1023

 

電橋測(cè)量靈敏度

 

    電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,

 

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

 

成正比。

 

    在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

 

         式中:U為測(cè)量電壓                     伏特(V)

 

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測(cè)試品電容值                    皮法(pF)

 

 

 低頻電橋

 一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因?yàn)樵诘皖l下正是高電壓技術(shù)特別對(duì)電介質(zhì)損耗

關(guān)注的問(wèn)題。電容臂和測(cè)量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級(jí)上相差很多,結(jié)果,絕大部分電壓都施加在電容

Cx和 C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸?duì)高壓元件屏蔽時(shí)才成

立。同時(shí),屏蔽必須接地,以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護(hù)的電容 C、和 C、是一

致的,這個(gè)保護(hù)對(duì)于Ch來(lái)說(shuō)是*的。

 由于選擇不同的接地方法,實(shí)際上形成了兩類(lèi)電橋。

 

帶屏蔽的簡(jiǎn)單西林電橋

 橋的B點(diǎn)(在測(cè)量臂邊的電源接線端子)與屏蔽相連并接地。

 屏蔽能很好地起到防護(hù)高壓邊影響的作用,但是增加了屏蔽與接到測(cè)量臂接線端 M和 N的各根導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測(cè)量臂兩端的電壓 這樣會(huì)引人一個(gè)通常使 tans的測(cè)量精度限于0.1%數(shù)量級(jí)的誤差,當(dāng)電容CX和CN不平衡時(shí)尤為顯著。

 

 

帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋

 圖 A.2示出了使電橋測(cè)量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過(guò)使用外接輔助橋臂ZA、ZB(瓦格納接地電路),并使這兩個(gè)輔助橋臂的中間點(diǎn) P接到屏蔽并接地。調(diào)節(jié)輔助橋臂(實(shí)際為

ZB)以使在 ZA和 ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測(cè)量臂兩端的電壓相等.顯然,這個(gè)解決方法包括兩個(gè)橋即主橋 AMNB和輔橋 AMPB(或 ANPB)同時(shí)平衡。通過(guò)檢測(cè)器從一個(gè)橋轉(zhuǎn)換到另一個(gè)橋逐

次地逼近平衡而 達(dá)到二者平衡.用這種方法精度可以提高一個(gè)數(shù)量級(jí),這時(shí),實(shí)際上該精度只決定于電橋元件的精密度平衡 用這種方法精度可以提高一個(gè)數(shù)量級(jí),這時(shí),實(shí)際上該精度只決定

于電橋元件的精密度。

     必須指出,只有當(dāng)電源的兩端可以對(duì)地絕緣時(shí)才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對(duì)地絕緣,則必須使用更復(fù)雜的裝置(雙屏蔽電橋)。

 

高頻西林電橋

    這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容 CN是可變的(在高壓電橋中電容 CN通常是固定的),比較容易采用替代法。

    由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

 

 

高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應(yīng)指出,帶有分開(kāi)的初級(jí)繞組的電橋允許電源和檢測(cè)器互換位置。其平衡與在次級(jí)繞組中對(duì)應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.

 

 

特點(diǎn):

優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小

高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)

LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動(dòng)/自動(dòng)量程切換

自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn),標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測(cè)試速度

 

產(chǎn)品保修承諾:

1、免費(fèi)送貨到用戶的地點(diǎn),免費(fèi)指導(dǎo)安裝、培訓(xùn)及調(diào)試。

2、保修期內(nèi)人為損壞的零部件按采購(gòu)(加工)價(jià)格收費(fèi)更換。

3、保修期外繼續(xù)為用戶提供優(yōu)質(zhì)技術(shù)服務(wù),在接到用戶維修邀請(qǐng)后3天內(nèi)派工程師到達(dá)用戶現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行維修。并享有優(yōu)惠購(gòu)買(mǎi)零配件的待遇。

4、傳感器過(guò)載及整機(jī)電路超壓損壞不在保修范圍內(nèi)。

5、產(chǎn)品質(zhì)保期:自安裝正常使用日起一年;

6、軟件升級(jí):終生免費(fèi)提供新版本控制軟件。

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