北京飛凱曼公司提供塞貝克熱電效應測試儀系統(tǒng)。塞貝克效應是一種物理現(xiàn)象，即兩種不同的導體材料或者半導體材料之間的溫度差異在接觸時會產(chǎn)生電勢差。當熱量施加在兩種導體或者半導體中的一個時，熱電子流會從熱端流向冷端。當這對材料通過電子回路連接時，直流電流（DC）就會從回路中流過。塞貝克效應產(chǎn)生的電壓很小，通常在連接點每開氏溫度只有幾個微伏或幾個毫伏。如果溫度差足夠大，一些塞貝克效應器件可以產(chǎn)生數(shù)毫伏甚至數(shù)千伏的電壓。很多類似的器件可以串聯(lián)起來增加輸出電壓或者并聯(lián)起來增加zui大輸出電流。 如果在節(jié)點處維持大的溫度差，塞貝克效應器件組成的大型陣列可以作為非常有用的、小規(guī)模的電源。

特點和優(yōu)勢

我們的優(yōu)勢在于我們使用了Joule-Thomason熱臺作為溫度控制裝置，除此之外，MMR的塞貝克效應測試儀更多的優(yōu)勢體現(xiàn)在很多的科學應用上，包括：

    1）塞貝克測試系統(tǒng)具有50 nVolt的分辨率

    2）可測試的樣品從金屬到薄膜

    3）高的測試精度和重復性

    4）相對參考材料的自動運算

    5）結(jié)構(gòu)緊湊

    6）寬的溫度測試范圍：70K 至 730K

    7）可測試的樣品范圍廣：包括單晶體、薄膜、線等

自動的熱能測量提供如下好處：

    8）連續(xù)的計算機控制的試驗參數(shù)可產(chǎn)生接近恒定大小和周期的溫度梯度。

    9）密度的數(shù)量級增加的數(shù)據(jù)極容易獲取

10）*的數(shù)據(jù)簡化了程序，對于每次測量非常有用

11）可以和霍爾效應測試儀公用平臺，降低設備采購成本。

總之，這些因素使得MMR的塞貝克效應測試系統(tǒng)具有非常高的精度和測試重復性。

技術(shù)參數(shù)：

工作溫度范圍：                70K ~730K*

zui大熱測量范圍：              +/- 50 nVolt

參考和測試通道的增益失配：     < 0.1%

加熱模塊zui小功率步進：         0.1 mWatt (決定了通過樣品的溫度差異)

加熱模塊zui大功率步進：         900 mWatts

自動讀數(shù)：                     zui大至128

參考材料：                     銅鎳合金-與待測樣品相對

溫度傳感器：                   鉑電阻溫度計

樣品固定尺寸：                 10 mm x 12 mm

樣品長度：                     2 mm to 10 mm(取決于固定方法)

控制器要求：                   MMR提供的可編程溫度和塞貝克測量控制器

過濾干燥系統(tǒng)要求：             標準的過濾干燥系統(tǒng)或者可再生過濾干燥系統(tǒng)

氣體要求：                     99.998% 的高純氮氣或者氬氣，至少1800 psi壓力

真空要求：                     不高于8 mTorr

產(chǎn)品應用

     1）汽車和燃油

     2）能源利用效率

     3）替代能源領域

     4）熱電制冷

     5）很多其他工業(yè)和研究領域-每年都會誕生新的應用領域

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