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真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

簡介
需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

化學成分
薄膜均勻性概念
1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。
2.化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的含量所在。具體因素也在下面給出。
3.晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜中的熱點問題，具體見下。

主要分類

主要分類有兩個大種類：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等。

一、對于蒸發(fā)鍍膜：

一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。
厚度均勻性主要取決于：
1。基片材料與靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3. 蒸發(fā)功率，速率
4. 真空度
5. 鍍膜時間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：
1。晶格匹配度
2。基片溫度

3。蒸發(fā)速率

濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之一。
濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈沖濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。