| 北京華測試驗(yàn)儀器有限公司
主營產(chǎn)品: 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 北京華測試驗(yàn)儀器有限公司
主營產(chǎn)品: 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 參考價(jià) | ¥ 66666 |
| 訂貨量 | 1臺(tái) |
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更新時(shí)間:2025-12-10 14:36:33瀏覽次數(shù):534
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| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 產(chǎn)品新舊 | 全新 |
|---|---|---|---|
| 自動(dòng)化程度 | 全自動(dòng) |
原理:
主要用途:
介質(zhì)薄膜干法刻蝕,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等
能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
典型的硅刻蝕速率,400 ?/min
高達(dá)12"的陽極氧化鋁RF樣品臺(tái)
水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
大的自偏壓
淋浴頭氣流分布
極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級別
渦輪分子泵
NRE-3000支持4個(gè)MFC,NRE-4000支持8個(gè)MFC
無繞曲氣體管路
自動(dòng)下游壓力控制
雙刻蝕能力:RIE以及PE刻蝕(可選)
終點(diǎn)監(jiān)測
氣動(dòng)升降頂蓋
手動(dòng)或自動(dòng)上下載片
預(yù)真空鎖
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng),4級密碼訪問保護(hù)
*的安全聯(lián)鎖
可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái),用于深硅刻蝕
技術(shù)指標(biāo):
氣體種類:O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等
基片尺寸:支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
射頻電源 :
ICP電源:13.56MHz,1400W; 偏壓電源:13.56MHz,800W
工藝溫度:10℃到80℃可控
傳送模式:自動(dòng)Loadlock傳送系統(tǒng)
其他產(chǎn)品:
NRE-4000:基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的獨(dú)立式系統(tǒng),占地面積26“D x 44"W
NRE-3500:基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的緊湊型獨(dú)立式系統(tǒng),占地面積26“D x 26"W
NRE-3000:基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的臺(tái)式系統(tǒng),占地面積26“D x 26"W
NRP-4000:RIE/PECVD雙系統(tǒng)
NDR-4000:深RIE刻蝕(深硅刻蝕)系統(tǒng)