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硅片超聲波清洗的原理及清洗流程

時間:2012/12/29
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  超聲波清洗的基本原理
  
  利用28KHz以上的電能,經(jīng)超聲波換能器轉換成高頻機械振蕩而傳入到清洗液中。超聲波在清洗液中疏密相間地向前輻射,使液體流動,并不停地產(chǎn)生數(shù)以萬計的微小氣泡。這些氣泡是超聲波縱向傳播的負壓區(qū)形成及生長,而在正壓區(qū)迅速閉合。這種微小氣泡的形成、生成迅速閉合稱為空化現(xiàn)象,空化現(xiàn)象中氣泡閉合時形成超越1000個大氣壓的瞬時高壓,連續(xù)不時發(fā)生的瞬時高壓,像一連串小爆炸不停地轟擊物體外表,使物體及縫隙中的污垢迅速剝落。這種空化侵蝕作用就是超聲波清洗的基本原理。濟寧恒碩超聲機械有限公司在硅片清洗的過程中已經(jīng)積累了相當豐富的經(jīng)驗,希望有硅片清洗要求的客戶請與我們!竭誠將為你服務!
  
  2清洗工藝流程
  
  自動上料→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→自動下料
  
  3清洗液的*配比的確定
  
  取4″及500淀厚的硅片做十組實驗,固定5分鐘清洗時間及超聲清洗的溫度,見下面列表。
  
  從表中觀察不同條件下硅片表面,用熒光燈照射外表可清楚看出硅表面的潔凈水平。因此得出清洗液的*配比為活性劑:清洗劑:去離子水=0.10:1.00:7.0
  
  通過實驗發(fā)現(xiàn)當清洗劑的濃度越低,越有利于水的清洗,但清洗劑的濃度不能低于15%否則清洗效果反而降低。
  
  4超聲清洗時間的確定
  
  將磨片分為十組,以上述*配比為清洗液超聲清洗,按不同的時間分為十批清洗,清洗時間分別是12345678910min同時用去離子水代替清洗液同樣條件下做對比實驗,得出結論,清洗劑的清洗效果明顯好于去離子水,而且超聲清洗時間在3min清洗效果就已經(jīng)比擬理想了
  
  5超聲清洗溫度的確定
  
  非離子外表活性劑在液固界面的吸附量隨溫度升高而增加。這是因為在低溫時非離子外表活性劑與水*混溶,親水基聚氧乙烯與水形成的氫鍵能量低,當溫度升高后,分子的熱運動加劇,致使氫鍵破壞,使非離子外表活性劑在水中的溶解度下降,溫度升高到一定值時,非離子外表活性劑從水溶液中析出變混濁,此溫度即為濁點。因此溫度升高時非離子外表活性劑逃離水的趨勢增強,吸附量增大。溫度對非離子外表活性劑的去污能力的影響是明顯的當溫度接近于濁點時,清洗效果。通過實驗得出3050℃之間均可,但45℃為*。
  
  6掃描電子顯微鏡的觀察
  
  通過掃描電子顯微鏡能譜分析可以得出:研磨片的外表黑點主要是顆粒污染物和碳元素聚集物。

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