詳細介紹

無錫冠亞制冷加熱控溫系統(tǒng)的典型應(yīng)用:
高壓反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制;
小型恒溫控制系統(tǒng)、
蒸餾系統(tǒng)控溫、
材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、
半導體設(shè)備冷卻加熱、
真空室制冷加熱恒溫控制。


| 型號 | SUNDI-320 | SUNDI-420W | SUNDI-430W | |
|---|---|---|---|---|
| 介質(zhì)溫度范圍 | -30℃~180℃ | -40℃~180℃ | -40℃~200℃ | |
| 控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器 | |||
| 溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式 可自由選擇 | |||
| 溫差控制 | 設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制、可設(shè)定 | |||
| 程序編輯 | 可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟 | |||
| 通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | |||
| 物料溫度反饋 | PT100 | |||
| 溫度反饋 | 設(shè)備進口溫度、設(shè)備出口溫度、反應(yīng)器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度 | |||
| 導熱介質(zhì)溫控精度 | ±0.5℃ | |||
| 反應(yīng)物料溫控精度 | ±1℃ | |||
| 加熱功率 | 2KW | 2KW | 3KW | |
| 制冷能力 | 180℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW |
| 50℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| 0℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| -5℃ | 0.9kW | 1.2kW | 2kW | |
| -20℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | |
| -35℃ | 0.3kW | 0.5kW | ||
| 循環(huán)泵流量、壓力 | max10L/min 0.8bar | max10L/min 0.8bar | max20L/min 2bar | |
| 壓縮機 | 海立/泰康/思科普 | |||
| 膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | |||
| 蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | |||
| 操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄 | |||
| 安全防護 | 具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關(guān),過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | |||
| 密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質(zhì)。 | |||
| 制冷劑 | R-404A/R507C | |||
| 接口尺寸 | G1/2 | G1/2 | G1/2 | |
| 水冷型 W 溫度 20度 | 450L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 550L/H 1.5bar~4bar G3/8 | ||
| 外型尺寸 cm | 45*65*87 | 45*65*87 | 45*65*120 | |
| 正壓防爆尺寸 | 70*75*121.5 | 70*75*121.5 | ||
| 標配重量 | 55kg | 55kg | 85kg | |
| 電源 | AC 220V 50HZ 2.9kW(max) | AC 220V 50HZ 3.3kW(max) | AC380V 50HZ 4.5kW(max) | |
| 外殼材質(zhì) | SUS 304 | SUS 304 | SUS 304 | |
| 選配 | 正壓防爆 后綴加PEX | |||
| 選配 | 可選配以太網(wǎng)接口,配置電腦操作軟件 | |||
| 選配 | 選配外置觸摸屏控制器,通信線距離10M | |||
| 選配電源 | 100V 50HZ單相,110V 60HZ 單相,230V 60HZ 單相, 220V 60HZ 三相,440V~460V 60HZ 三相 | |||


高低溫測試設(shè)備-夾套循環(huán)水加熱系統(tǒng)
高低溫測試設(shè)備-夾套循環(huán)水加熱系統(tǒng)
半導體制冷機chiller±0.5℃精度控制的技術(shù)手段
1、冗余測溫與傳感器融合
在進水口、出水口及工藝腔室內(nèi)布置鉑電阻傳感器,結(jié)合紅外熱像儀監(jiān)測溫度場分布,數(shù)據(jù)融合后控溫精度提升。
自校準機制:每24小時自動進行冰點校準,消除傳感器漂移誤差。
2、智能溫控系統(tǒng)
PID+前饋控制:結(jié)合比例-積分-微分(PID)算法與前饋控制,實現(xiàn)溫度的準確跟蹤與快速穩(wěn)定。
壓力梯度管理:通過變頻泵調(diào)節(jié)冷卻介質(zhì)流速,確保腔體內(nèi)各點水壓波動,避免局部過熱。
半導體制冷機chiller典型應(yīng)用場景
1. 晶圓制造:光刻與蝕刻工藝的溫控保障
光刻膠涂布:溫度波動超過±0.5℃會導致光刻膠厚度不均,半導體制冷機chiller通過閉環(huán)控制將晶圓臺溫度穩(wěn)定,確保線寬精度。
蝕刻機熱管理:蝕刻過程中反應(yīng)腔溫度需控制在±0.3℃,半導體制冷機chiller集成液冷系統(tǒng)實現(xiàn)快速熱交換,避免工藝偏差。
2. 封裝測試:芯片可靠性驗證
焊線機溫控:鍵合頭溫度需穩(wěn)定,半導體制冷機chiller通過微型化設(shè)計嵌入設(shè)備,確保焊接強度與良率。
老化測試:加速壽命試驗中,半導體制冷機chiller為多工位測試臺提供獨立溫控通道,支持寬域循環(huán)。
3. 制程:EUV光刻機的熱負載管理
EUV光源冷卻:光刻機反射鏡溫度需恒定在-10℃,半導體制冷機chiller配合循環(huán)系統(tǒng),將熱負載降低,避免鏡面形變。

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