詳細介紹

無錫冠亞制冷加熱控溫系統(tǒng)的典型應用:
高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
微通道反應器冷熱源恒溫控制;
小型恒溫控制系統(tǒng)、
蒸餾系統(tǒng)控溫、
材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、
半導體設備冷卻加熱、
真空室制冷加熱恒溫控制。


| 型號 | SUNDI-320 | SUNDI-420W | SUNDI-430W | |
|---|---|---|---|---|
| 介質溫度范圍 | -30℃~180℃ | -40℃~180℃ | -40℃~200℃ | |
| 控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器 | |||
| 溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇 | |||
| 溫差控制 | 設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定 | |||
| 程序編輯 | 可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟 | |||
| 通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | |||
| 物料溫度反饋 | PT100 | |||
| 溫度反饋 | 設備進口溫度、設備出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度 | |||
| 導熱介質溫控精度 | ±0.5℃ | |||
| 反應物料溫控精度 | ±1℃ | |||
| 加熱功率 | 2KW | 2KW | 3KW | |
| 制冷能力 | 180℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW |
| 50℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| 0℃ | 1.5kW | 1.8kW | 3kW | |
| -5℃ | 0.9kW | 1.2kW | 2kW | |
| -20℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | |
| -35℃ | 0.3kW | 0.5kW | ||
| 循環(huán)泵流量、壓力 | max10L/min 0.8bar | max10L/min 0.8bar | max20L/min 2bar | |
| 壓縮機 | 海立/泰康/思科普 | |||
| 膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | |||
| 蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | |||
| 操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄 | |||
| 安全防護 | 具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關,過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | |||
| 密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質。 | |||
| 制冷劑 | R-404A/R507C | |||
| 接口尺寸 | G1/2 | G1/2 | G1/2 | |
| 水冷型 W 溫度 20度 | 450L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 550L/H 1.5bar~4bar G3/8 | ||
| 外型尺寸 cm | 45*65*87 | 45*65*87 | 45*65*120 | |
| 正壓防爆尺寸 | 70*75*121.5 | 70*75*121.5 | ||
| 標配重量 | 55kg | 55kg | 85kg | |
| 電源 | AC 220V 50HZ 2.9kW(max) | AC 220V 50HZ 3.3kW(max) | AC380V 50HZ 4.5kW(max) | |
| 外殼材質 | SUS 304 | SUS 304 | SUS 304 | |
| 選配 | 正壓防爆 后綴加PEX | |||
| 選配 | 可選配以太網接口,配置電腦操作軟件 | |||
| 選配 | 選配外置觸摸屏控制器,通信線距離10M | |||
| 選配電源 | 100V 50HZ單相,110V 60HZ 單相,230V 60HZ 單相, 220V 60HZ 三相,440V~460V 60HZ 三相 | |||



物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置
物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置
隨著科技的不斷進步,半導體行業(yè)制程工藝過程中,高低溫控溫設備扮演著一定的角色。本文將探討半導體行業(yè)用高低溫控溫設備在該行業(yè)的應用。
一、高低溫控溫設備的重要性
在半導體生產過程中,許多工藝步驟需要在特定的溫度環(huán)境下進行。例如,某些材料的生長、薄膜的沉積、晶圓的蝕刻等過程都需要準確控制溫度。過高或過低的溫度都可能導致產品質量下降,甚至導致生產失敗。因此,高低溫控溫設備對于保證半導體生產過程的穩(wěn)定性和產品質量至關重要。
二、高低溫控溫設備的應用
1、生長和沉積過程:在半導體材料的生長和薄膜的沉積過程中,需要準確控制溫度以保證材料的結構和性能。高低溫控溫設備能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境,從而確保這些過程的順利進行。
2、晶圓蝕刻:晶圓蝕刻是半導體制造過程中的步驟之一。在這個過程中,需要準確控制溫度以保證蝕刻劑的活性和蝕刻速率。高低溫控溫設備能夠滿足這一需求,從而確保晶圓蝕刻的質量和效率。
3、測試和封裝:在半導體產品的測試和封裝過程中,也需要準確控制溫度。高低溫控溫設備能夠提供各種測試所需的溫度環(huán)境,從而確保產品的性能和可靠性。
總之,高低溫控溫設備為半導體生產提供了穩(wěn)定的溫度環(huán)境,從而保證了生產過程的穩(wěn)定性和產品質量。

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