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當前位置:上海奧力原環(huán)境科技有限公司>>超純水設(shè)備>> ALY-CCS-250L集成電路(C)制造用超純水設(shè)備
產(chǎn)品型號ALY-CCS-250L
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
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更新時間:2026-03-01 11:13:44瀏覽次數(shù):144次
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| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 產(chǎn)品大小 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)品新舊 | 全新 | 結(jié)構(gòu)類型 | 其他 |
| 自動化程度 | 全自動 |
水質(zhì)純凈:通過多級工藝深度凈化,出水電阻率穩(wěn)定在 18.2MΩ?cm(25℃),TOC<1ppb,顆粒物 < 5 顆 / 升(粒徑≥0.1μm),微生物 < 0.1CFU/mL,溶解氣體(O?、CO?)降至 ppb 級,可精準控制鈉離子、硼等痕量離子,滿足 28 納米以下制程對柵極氧化層保護的嚴苛需求。
智能精準管控:搭載 TOC 在線分析儀、激光顆粒計數(shù)器等高精度監(jiān)測設(shè)備,實時反饋水質(zhì)數(shù)據(jù);結(jié)合 PLC 智能控制系統(tǒng),自動調(diào)節(jié)藥劑投放與沖洗頻率,實現(xiàn)全流程參數(shù)可視化與閉環(huán)控制,確保水質(zhì)波動小,提升生產(chǎn)穩(wěn)定性。
節(jié)能降耗顯著:優(yōu)化 RO 系統(tǒng)設(shè)計,濃水回用率達 75%,減少水資源浪費;EDI 模塊耗電量較傳統(tǒng)混床降低 40%,搭配熱能回收裝置,利用 UF/RO 沖洗水余熱預處理加熱,整體節(jié)能 25%,長期運行成本更具優(yōu)勢。
靈活適配場景:采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,產(chǎn)能可從 100m3/d(小型線)靈活擴展至 5000m3/d(12 英寸晶圓廠),支持多模塊并聯(lián)擴容,無需大幅改造即可匹配產(chǎn)能升級需求,適配 8 英寸以下產(chǎn)線、制程工廠、第三代半導體加工等不同場景。
防污染更可靠:采用 PVDF 耐腐蝕管道、316L 不銹鋼雙封頭拋光罐(Ra≤0.4μm),管路坡度 > 1%,實現(xiàn)零死角設(shè)計;搭配氮氣密封系統(tǒng)與 80℃熱消毒循環(huán)功能,杜絕微生物滋生與二次污染,保障水質(zhì)全程潔凈。
預處理系統(tǒng):由石英砂過濾器、活性炭吸附裝置、軟化器組成,有效去除原水中的懸浮物、余氯、鈣鎂離子等雜質(zhì),為后續(xù)核心單元提供穩(wěn)定進水條件,避免膜元件結(jié)垢堵塞。
膜分離單元:RO 膜(0.1 納米孔徑)截留 97%-99% 的溶解鹽與有機物,搭配納濾(NF)模塊精準分離二價離子,進一步提升脫鹽效果;RO 膜選用高效型產(chǎn)品,通量提升 30%,能耗降低 15%。
深度除鹽系統(tǒng):EDI 模塊通過離子交換膜與電場作用實現(xiàn)連續(xù)去離子,無需化學再生;后續(xù)搭配拋光混床(核級樹脂,交換容量≥1.2eq/L),將電阻率提升至 18.2MΩ?cm,去除痕量離子。
終端精處理:雙波長紫外(185nm+254nm)裝置分解殘留 TOC,0.1μm 終端過濾器截留細微顆粒物;針對特殊需求可增設(shè)臭氧 - 紫外聯(lián)合氧化單元,實現(xiàn) TOC<0.5ppb,適配第三代半導體加工。
核心膜元件:選用行業(yè)成熟品牌 RO 膜與 EDI 模塊,脫鹽率高、抗污染能力強,使用壽命更有保障;國內(nèi)自主研發(fā)的 EDI 膜堆,在保障性能的同時,價格較進口產(chǎn)品更具優(yōu)勢。
管路與儲存:PVDF 管道耐腐蝕、低溶出,避免金屬離子污染;316L 不銹鋼拋光罐搭配氮氣密封系統(tǒng),抑制氧氣溶入,防止水質(zhì)劣化。
控制與監(jiān)測:集成高精度傳感器與工業(yè)觸摸屏,實時顯示電阻率、TOC、流量、壓力等多項參數(shù),支持數(shù)據(jù)存儲與追溯,滿足 IC 制造行業(yè)的質(zhì)量管控要求。
冗余設(shè)計:關(guān)鍵模塊(如 RO 機組)配備備用單元,支持在線切換,避免非計劃停機影響生產(chǎn)。
12 英寸晶圓廠:采用雙系列 RO + 三級 EDI 配置,產(chǎn)水量可達 3000m3/d,超純水合格率 99.98%,噸水電耗僅 2.8kWh/m3,有效支撐大規(guī)模晶圓加工的連續(xù)穩(wěn)定供水。
第三代半導體(SiC)加工:定制臭氧 - 紫外聯(lián)合氧化工藝,TOC<0.5ppb,搭配 PFA 管道,硅釋放量 < 0.01ppt,滿足寬禁帶半導體材料加工的超高純度要求。
8 英寸以下產(chǎn)線:集成式超純水系統(tǒng)占地 < 200㎡,結(jié)構(gòu)緊湊、安裝便捷,適配中小型芯片制造企業(yè)的產(chǎn)能與場地需求。
再生水回用場景:增加高級氧化(AOP)單元,可應(yīng)對原水 COD 波動,實現(xiàn)廢水回用率≥60%,契合綠色制造政策要求,降低水資源消耗成本。
其他應(yīng)用場景:適配芯片封裝、半導體材料制備等環(huán)節(jié),通過穩(wěn)定的高純度水質(zhì)供應(yīng),有效降低芯片缺陷率,提升產(chǎn)品良率與可靠性,為企業(yè)減少因水質(zhì)問題導致的生產(chǎn)損失。
明確水質(zhì)指標:根據(jù)芯片制程(如 3nm、28nm)與工藝環(huán)節(jié)(如光刻、蝕刻),確定電阻率、TOC、特定離子(鈉、硼)、顆粒物等關(guān)鍵指標,確保設(shè)備精準適配。
匹配產(chǎn)能規(guī)模:按實際用水量及峰值需求選擇對應(yīng)產(chǎn)能模塊,同時預留擴容接口,滿足未來產(chǎn)能擴張需求;12 英寸晶圓廠建議選擇雙系列冗余設(shè)計,保障連續(xù)供水。
考察核心配置:優(yōu)先選擇核心膜元件、樹脂等組件行業(yè)設(shè)備,要求供應(yīng)商提供第三方水質(zhì)檢測報告,驗證指標達標能力。
適配制程需求:制程工廠建議采用 “二級 RO+EDI + 雙床拋光" 工藝,預留技術(shù)升級空間;再生水回用需配套高級氧化單元。
定制化方案:支持根據(jù)客戶原水水質(zhì)、產(chǎn)能需求、場地條件及制程標準,定制專屬解決方案;提供原水檢測、工藝優(yōu)化等前期技術(shù)咨詢服務(wù)。
安裝與培訓:提供免費上門安裝調(diào)試服務(wù),工程師現(xiàn)場指導操作人員熟悉設(shè)備操作、參數(shù)設(shè)置與日常維護流程;配套詳細的紙質(zhì) + 電子說明書,包含維護周期、故障處理等關(guān)鍵內(nèi)容。
質(zhì)保與響應(yīng):核心部件(RO 膜、EDI 模塊)享有相應(yīng)質(zhì)保期,整機提供*售后保障;建立本地化服務(wù)團隊,快速響應(yīng)售后需求,確保設(shè)備故障及時處理。
長期技術(shù)支持:提供終身技術(shù)咨詢服務(wù),定期回訪設(shè)備運行狀態(tài),結(jié)合芯片制程升級趨勢,為客戶提供系統(tǒng)優(yōu)化與技術(shù)升級建議,持續(xù)適配更高標準的水質(zhì)要求。
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