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半導(dǎo)體芯片光刻高低溫一體機(jī)

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產(chǎn)品型號MPTD

品牌邁浦特 MAIPT

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

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更新時間：2026-01-14 09:41:26瀏覽次數(shù)：181次

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  邁浦特 MAIPT

邁浦特機(jī)械(四川)有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：146條

所在地區(qū)：四川成都市

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產(chǎn)品簡介

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產(chǎn)品新舊	全新	結(jié)構(gòu)類型	其他

半導(dǎo)體芯片光刻高低溫一體機(jī)，專為半導(dǎo)體芯片光刻工藝溫控設(shè)計(jì)，核心解決溫度波動致光刻精度不足、芯片性能偏差問題。以硅油為介質(zhì)，控溫精度 PID±0.1℃，采用 PLC 與 9 組獨(dú)立 PID 控溫。支持 100 組可編程程序，實(shí)時顯溫 + 曲線，USB 導(dǎo)出數(shù)據(jù)。具備 10 重安全保護(hù)，0-40℃環(huán)境 24 小時穩(wěn)定運(yùn)行，契合半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為光刻流程提供精準(zhǔn)溫控支撐。

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體芯片光刻高低溫一體機(jī)（MPTD 系列）產(chǎn)品簡介

支持非標(biāo)定制，免費(fèi)提供技術(shù)規(guī)格書、方案。

一、產(chǎn)品定位與核心用途

專為半導(dǎo)體芯片光刻全流程（如光刻膠涂覆前預(yù)處理、曝光環(huán)境溫控、顯影后烘烤、光刻膠固化）溫控需求研發(fā)設(shè)計(jì)，屬于邁浦特 MPTD 系列 - 45℃~300℃高低溫一體機(jī)范疇，核心用于解決光刻過程中溫度波動導(dǎo)致的光刻膠涂布不均、線寬偏差、圖形畸變、芯片性能一致性差及良率偏低等問題。通過硅油循環(huán)構(gòu)建 - 45℃~300℃寬域高精度可控溫度環(huán)境，適配低溫預(yù)處理、恒溫曝光、梯度烘烤、高溫固化等關(guān)鍵場景，為提升光刻精度（線寬誤差≤±0.1μm）、保障芯片性能穩(wěn)定性、提高生產(chǎn)良率（目標(biāo)≥99.5%）提供核心溫控支撐。

適配半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)、晶圓代工廠、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)、光刻設(shè)備配套廠商等場景，可在 0-40℃環(huán)境溫度、50%-80% 相對濕度、±4℃/h 溫差工況下每周 7 天、每天 24 小時連續(xù)運(yùn)行，契合半導(dǎo)體行業(yè)對 “超高精度、高潔凈性、低干擾、強(qiáng)合規(guī)性" 的嚴(yán)苛要求，同時滿足 SEMI（半導(dǎo)體設(shè)備與材料國際標(biāo)準(zhǔn)）、GB/T 2423（電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)）等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，保障半導(dǎo)體芯片光刻工藝合規(guī)、高效開展。

二、核心性能特點(diǎn)

1. 精準(zhǔn)控溫適配，覆蓋光刻全流程

控溫范圍覆蓋 - 45℃~300℃，溫控精度達(dá) PID±0.1℃，采用邁浦特 PLC 控溫系統(tǒng)（內(nèi)置 9 組獨(dú)立 PID 溫區(qū)段控制邏輯），搭配中國臺灣銘揚(yáng) PT100 鉑電阻測溫體（響應(yīng)≤0.1 秒，誤差≤±0.05℃），可精準(zhǔn)匹配光刻各環(huán)節(jié)的溫控需求：

光刻膠預(yù)處理：-45℃~0℃±0.1℃（去除光刻膠中水分與揮發(fā)性雜質(zhì)，提升涂布均勻性，如光刻膠低溫儲存與預(yù)處理）；
恒溫曝光：20℃~25℃±0.05℃（維持曝光環(huán)境溫度穩(wěn)定，避免溫度漂移導(dǎo)致線寬偏差，如深紫外光刻曝光工位溫控）；
梯度烘烤：60℃~150℃±0.1℃（0.2℃/min~0.8℃/min 可調(diào)斜率）（促進(jìn)光刻膠與晶圓結(jié)合，優(yōu)化圖形輪廓，如軟烘、硬烘工藝）；
顯影后固化：120℃~200℃±0.1℃（增強(qiáng)光刻膠附著力與耐蝕刻性，如光刻膠高溫固化）；
低溫性能驗(yàn)證：-20℃~10℃±0.1℃（模擬芯片低溫運(yùn)行環(huán)境，驗(yàn)證光刻圖形穩(wěn)定性）。

系統(tǒng)支持進(jìn)出口溫度、物料與本機(jī)溫度雙向切換，加熱冷卻雙 PID 協(xié)同控制，能快速響應(yīng)光刻設(shè)備啟停、晶圓裝載帶來的熱負(fù)荷沖擊，確保光刻區(qū)域溫度波動≤±0.3℃，避免因局部溫差異致光刻缺陷（如線寬偏差超 0.2μm、圖形畸變率超 1%）。

支持 100 組可編工藝程序，每組含 100 條步驟，可預(yù)設(shè) “光刻膠預(yù)處理→恒溫曝光→軟烘→顯影→硬烘→固化" 全流程溫控曲線（如 “25℃降溫（0.5℃/min，預(yù)處理準(zhǔn)備）→-10℃恒溫 4h（光刻膠干燥）→23℃升溫（0.6℃/min，曝光準(zhǔn)備）→23℃恒溫 8h（曝光工序）→90℃升溫（0.4℃/min，軟烘準(zhǔn)備）→90℃恒溫 30min（軟烘）→25℃降溫（0.5℃/min，顯影準(zhǔn)備）→150℃升溫（0.3℃/min，硬烘準(zhǔn)備）→150℃恒溫 1h（硬烘）→180℃升溫（0.2℃/min，固化準(zhǔn)備）→180℃恒溫 2h（固化）"），一鍵調(diào)用自動執(zhí)行。配備 7 寸邁浦特定制觸摸顯示屏，實(shí)時顯示溫度與動態(tài)曲線；支持 USB 導(dǎo)出 24 個月數(shù)據(jù)，標(biāo)配 Modbus RS485 通訊，可與光刻設(shè)備、晶圓制造 MES 系統(tǒng)聯(lián)動，實(shí)現(xiàn)溫控參數(shù)與生產(chǎn)數(shù)據(jù)（線寬檢測結(jié)果、良率、光刻膠涂布厚度）同步采集。

2. 高效穩(wěn)定循環(huán)，契合半導(dǎo)體潔凈工況

高效循環(huán)控溫設(shè)計(jì)：采用直接加熱（直接冷卻）方式，加熱功率 5.5~25kW 可按需適配（小型研發(fā)光刻設(shè)備選 5.5~10kW，大型晶圓生產(chǎn)線選 15~25kW）。加熱管選用 SUS316L 不銹鋼材質(zhì)，法蘭型連接搭配陶瓷絕熱設(shè)計(jì)，熱效率達(dá) 95% 以上，無粉塵、無雜質(zhì)析出，契合半導(dǎo)體潔凈要求；全密閉管道式設(shè)計(jì)結(jié)合高效板式熱交換器，降低硅油需求量的同時提升熱量利用率，快速響應(yīng)溫度調(diào)節(jié)需求，縮短工藝準(zhǔn)備時間（如從常溫降至 - 10℃僅需 30 分鐘，升至 23℃僅需 20 分鐘，升至 150℃僅需 40 分鐘）。

配備邁浦特定制磁力油泵（耐溫 - 110℃~350℃，日本 NSK 軸封），揚(yáng)程 28~100M、流量 6.5~250m3/h，確保硅油在光刻設(shè)備夾層、恒溫腔體內(nèi)均勻流動，晶圓表面溫度偏差≤±0.2℃，避免局部涂布不均。主管路為不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)無縫氬弧焊接工藝處理，耐壓抗震，內(nèi)壁光滑潔凈，無顆粒脫落風(fēng)險(xiǎn)；搭配高溫 Y 型過濾器（過濾精度≥5μm），過濾硅油中雜質(zhì)，防止污染光刻膠或晶圓；硅油選用高穩(wěn)定性、低揮發(fā)、低污染型號（揮發(fā)量≤0.1%/100h@150℃），與光刻膠、晶圓無兼容性風(fēng)險(xiǎn)，無需頻繁更換，降低生產(chǎn)中斷頻率。

低干擾與潔凈設(shè)計(jì)：設(shè)備運(yùn)行噪音≤65dB、振動≤0.2mm/s，不會干擾光刻設(shè)備的精密傳動與激光信號傳輸；膨脹箱內(nèi)硅油不參與循環(huán)，溫度維持在常溫～60℃，減少氧化與揮發(fā)，避免揮發(fā)物污染潔凈車間空氣或附著在晶圓表面；整機(jī)采用 2mm 厚碳鋼噴塑機(jī)架，防腐蝕、易清潔，可耐受半導(dǎo)體車間常規(guī)清潔（如無塵布擦拭、中性清潔劑清洗），無粉塵產(chǎn)生，契合 Class 1000 級潔凈車間要求。

3. 多重安全保護(hù)，規(guī)避高價值生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)

具備 10 重全面安全保護(hù)裝置，針對半導(dǎo)體芯片光刻 “高晶圓價值、高設(shè)備成本、連續(xù)生產(chǎn)" 特性定制安全邏輯：

溫度與介質(zhì)保護(hù)：循環(huán)硅油超安全溫度上限（如 250℃，防止光刻膠碳化、晶圓損壞）或低于下限（如 - 45℃，避免管路凍裂）時，自動切斷電源并聲光報(bào)警，同時聯(lián)動光刻設(shè)備停止運(yùn)行；液位開關(guān)實(shí)時監(jiān)測油位，缺油時立即停機(jī)，避免油泵空轉(zhuǎn)損壞，防止溫控中斷導(dǎo)致高價晶圓（如 12 英寸晶圓）報(bào)廢或光刻圖形失效。
動力與壓力保護(hù)：瑞士 CARLO DPA51CM44 逆相保護(hù)器檢測電源相位，防止泵浦反轉(zhuǎn)；德國西門子 3RU6116 熱繼電器保護(hù)泵浦與壓縮機(jī)超載，報(bào)警提示；系統(tǒng)壓力異常（高壓≥2.8MPa、低壓≤0.2MPa）時，自動停止加熱并啟動 BY-PASS 泄壓回路，避免管路爆裂引發(fā)安全事故；管路阻塞時，泄壓回路保護(hù)泵浦，保障循環(huán)系統(tǒng)穩(wěn)定，避免生產(chǎn)中途中斷。
應(yīng)急與操作保護(hù)：配備雙重緊急停止按鈕（本地 + 遠(yuǎn)程），設(shè)備異常（如溫度驟升、泄漏）時可快速切斷運(yùn)行，適配無人值守的長周期生產(chǎn)場景；短路（超溫）保護(hù)采用韓國 LS 空氣開關(guān)，快速切斷故障電路，避免引發(fā)電氣安全事故；支持手動 / 自動排氣功能，快速排出系統(tǒng)內(nèi)空氣，確保溫控精度，預(yù)防氣阻致局部溫度偏差影響光刻質(zhì)量；電氣部件采用低電磁輻射設(shè)計(jì)，避免干擾光刻設(shè)備的精密電子元件。

4. 定制化適配，貼合光刻場景需求

接口與布局定制：熱媒體進(jìn) / 出口管徑可根據(jù)光刻設(shè)備接口規(guī)格、潔凈車間布局定制，支持 DN10~DN50 多種尺寸，無需改造現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)備，降低安裝成本；可根據(jù)車間空間（如緊湊潔凈車間、大型晶圓生產(chǎn)線）定制機(jī)架尺寸，底部加裝抗震腳墊或萬向輪（帶剎車），便于設(shè)備移動與定位，減少空間占用；針對多工位并行光刻，可定制多出口管路與多點(diǎn)溫控功能，同時為不同光刻工位控溫，提升生產(chǎn)效率（如同時適配 2~4 臺光刻設(shè)備）。
功能擴(kuò)展定制：針對高精度研發(fā)需求（如制程光刻工藝研發(fā)），可選購 ±0.05℃超高精度控溫模塊，進(jìn)一步提升溫控穩(wěn)定性；針對遠(yuǎn)程運(yùn)維需求，可選配 PROFINET/PROFIBUS 以太網(wǎng)通訊功能，實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體工廠監(jiān)控中心聯(lián)動，遠(yuǎn)程查看溫控?cái)?shù)據(jù)、調(diào)整工藝參數(shù)，適配多車間協(xié)同管理；針對節(jié)能需求，可擴(kuò)展智能變頻功能，根據(jù)生產(chǎn)負(fù)荷自動調(diào)節(jié)加熱 / 制冷功率，降低運(yùn)行能耗（如節(jié)能 15%~20%）；針對高潔凈要求，可定制全封閉防塵外殼、強(qiáng)化過濾系統(tǒng)，提升設(shè)備抗污染能力，契合更高等級潔凈車間（Class 100 級）需求。

三、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)（典型機(jī)型）

參數(shù)類別	具體參數(shù)
電源規(guī)格	3N-380V-50Hz（允許電壓波動 ±10%，相間電壓差 ±2%）
總電功率	9.5~37kW（380V 3N）
熱媒體	高穩(wěn)定性低揮發(fā)硅油（耐 - 45℃~300℃，揮發(fā)量≤0.1%/100h@150℃，低污染、無顆粒析出）
控溫范圍	-45℃~300℃（核心光刻區(qū)間 - 45℃~200℃）
控溫精度	PID±0.1℃（可選 ±0.05℃超高精度）
控溫方式	邁浦特 PLC 系統(tǒng)，9 組獨(dú)立 PID 分段控溫，加熱冷卻雙 PID 控制，溫度切換功能
加熱功率	5.5~25kW（可選購，適配不同光刻規(guī)模）
制冷量	-40℃：0.9~4.7kW；-20℃：2.9~16kW；25℃/150℃/200℃：5.5~25kW（可選購）
循環(huán)泵	邁浦特定制磁力油泵，耐溫 - 110℃~350℃，日本 NSK 軸封（揚(yáng)程 28~100M，流量 6.5~250m3/h）
主管路材質(zhì)	不銹鋼（SUS316L），無縫氬弧焊接工藝，抗震防腐蝕、無顆粒脫落
節(jié)流方式	電子膨脹閥或毛細(xì)管
壓縮機(jī)	美國谷輪 / 卡萊爾全封閉渦旋式壓縮機(jī)（運(yùn)行穩(wěn)定，噪音≤65dB）
安全保護(hù)	溫度異常、電源逆相、泵浦超載、缺油、壓力異常、管路阻塞等 10 重保護(hù)
數(shù)據(jù)功能	7 寸觸摸顯示屏（實(shí)時溫度 + 曲線），USB 導(dǎo)出 24 個月數(shù)據(jù)，Modbus RS485 通訊
工作環(huán)境	溫度 0-40℃，相對濕度 50%-80%，低粉塵、無強(qiáng)腐蝕性氣體（符合半導(dǎo)體潔凈車間要求）

四、安裝與環(huán)境適配要求

1. 安裝規(guī)范

電源配置：需使用三相 380V 50Hz + 地線，建議采用 3xmm2+1xmm2 銅芯電纜線（由需方自備），電纜規(guī)格根據(jù)設(shè)備總功率匹配（如 9.5kW 機(jī)型選 3x4mm2+1x2.5mm2），確保電源輸出穩(wěn)定，避免電壓波動影響溫控精度；做好接地處理（接地電阻≤4Ω），防止電磁干擾影響光刻設(shè)備、晶圓檢測儀器的信號傳輸與精密控制。
管路連接：熱媒體出入口建議采用不銹鋼硬管連接，需跨越生產(chǎn)區(qū)域時可配備耐高溫不銹鋼軟管（長度≤3 米，由需方自備）并加裝保溫管（厚度≥20mm），減少熱損耗；水冷機(jī)型需接入潔凈冷卻水（溫度≤20℃，壓力 0.15-0.3MPa），冷卻水需為工業(yè)超純水（電導(dǎo)率≤10μS/cm），防止換熱器結(jié)垢影響換熱效率，避免水垢雜質(zhì)污染循環(huán)系統(tǒng)或晶圓、光刻膠。
調(diào)試條件：在硅油、電供應(yīng)正常且與光刻設(shè)備連接完成后調(diào)試，先空載試運(yùn)行 24 小時，驗(yàn)證控溫精度、循環(huán)穩(wěn)定性及安全保護(hù)功能正常；再帶載調(diào)試（用模擬晶圓測試熱負(fù)荷），確保恒溫區(qū)域溫場均勻性達(dá)標(biāo)（各點(diǎn)溫差≤±0.3℃）、光刻關(guān)鍵參數(shù)（線寬精度、涂布均勻性）符合要求后，方可投入正式生產(chǎn)。

2. 環(huán)境適配

設(shè)備機(jī)架采用 2mm 厚碳鋼噴塑處理，防腐蝕、易清潔，可耐受半導(dǎo)體潔凈車間的常規(guī)清潔方式，不產(chǎn)生二次污染；運(yùn)行適配 0-40℃的常規(guī)車間溫度范圍，無需額外恒溫改造，降低車間建設(shè)成本；設(shè)備整體設(shè)計(jì)緊湊，可靈活擺放于光刻設(shè)備旁、潔凈車間角落或?qū)Ｓ迷O(shè)備區(qū)，不占用晶圓轉(zhuǎn)運(yùn)、檢測的核心空間，契合半導(dǎo)體車間 “高效、整潔、低干擾" 的布局需求；設(shè)備密封性能優(yōu)良，可有效防止車間粉塵、雜質(zhì)進(jìn)入內(nèi)部部件，延長使用壽命，適配半導(dǎo)體行業(yè)連續(xù)生產(chǎn)工況。