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材料生長溫控高低溫一體機

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參考價: ￥ 29000

訂貨量: ≥1 把

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號MPTD

品牌邁浦特 MAIPT

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

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所在地成都市

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更新時間：2025-11-06 09:32:25瀏覽次數(shù)：181次

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  邁浦特 MAIPT

邁浦特機械(四川)有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：146條

所在地區(qū)：四川成都市

聯(lián)系人：趙元圓（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品大小	其他
產(chǎn)品新舊	全新	結(jié)構(gòu)類型	其他

材料生長溫控高低溫一體機，核心解決溫度波動導致的材料生長不均、晶型缺陷等問題。以硅油為介質(zhì)，控溫精度 PID±0.1℃，覆蓋寬溫域適配不同材料生長需求。采用邁浦特PLC 系統(tǒng)，支持 100 組可編程程序，實時顯溫 + 曲線，USB 導出數(shù)據(jù)。具備 10 重安全保護，0-40℃環(huán)境 24 小時穩(wěn)定運行，為材料生長實驗提供精準溫控支撐。

詳細介紹

材料生長溫控高低溫一體機（MPTD 系列）產(chǎn)品簡介

支持非標定制，免費提供技術(shù)規(guī)格書、方案。

一、產(chǎn)品定位與核心用途

專為晶體材料（如半導體單晶、光學晶體）、薄膜材料（如金屬薄膜、氧化物薄膜）及功能陶瓷材料等生長過程的精準溫控研發(fā)設計，屬于邁浦特 MPTD 系列 - 45℃~300℃高低溫一體機范疇，核心用于材料生長過程中的恒溫維持、溫度梯度構(gòu)建、生長速率調(diào)控及生長后冷卻定型等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。通過硅油循環(huán)構(gòu)建 - 45℃~300℃寬域可控溫度環(huán)境，解決溫度波動導致的材料生長不均（如晶體摻雜濃度偏差、薄膜厚度不均）、晶型缺陷（如位錯、空位增多）、生長效率低（溫度未達生長區(qū)間）及溫度下材料結(jié)構(gòu)損傷等問題。

適配材料科學實驗室、半導體材料生產(chǎn)企業(yè)、新能源材料研發(fā)中心等場景，可在 0-40℃環(huán)境溫度、50%-80% 相對濕度、±4℃/h 溫差工況下每周 7 天、每天 24 小時連續(xù)運行，契合材料生長對 “高精度溫控、快速溫變響應、長周期穩(wěn)定運行" 的嚴苛要求，同時滿足材料生長領(lǐng)域?qū)υO備安全性、數(shù)據(jù)可追溯性的標準，為提升材料純度、結(jié)晶度及性能一致性提供核心溫控支撐。

二、核心性能特點

1. 寬域高精度控溫，適配多類材料生長需求

控溫范圍覆蓋 - 45℃~300℃，溫控精度達 PID±0.1℃，采用邁浦特PLC 控溫系統(tǒng)（內(nèi)置 9 組獨立 PID 溫區(qū)段控制邏輯），搭配 PT100 鉑電阻測溫體（中國臺灣銘揚，測溫響應≤0.1 秒），可精準匹配不同材料的生長溫度標準：

低溫外延生長：-20℃~0℃±0.1℃（如某些半導體薄膜低溫外延，減少高溫對襯底的損傷）；
常溫生長校準：25℃±0.1℃（基準環(huán)境，校準材料初始生長速率、純度等基礎參數(shù)）；
中溫晶體生長：80℃~150℃±0.1℃（如有機晶體生長，促進分子有序排列）；
高溫熔融生長：200℃~300℃±0.1℃（如某些氧化物陶瓷材料，滿足高溫熔融與結(jié)晶需求）；
高低溫梯度生長：-30℃~200℃±0.1℃（構(gòu)建材料生長所需溫度梯度，誘導優(yōu)質(zhì)晶核生成）。

系統(tǒng)支持進出口溫度相互切換、物料溫度與本機溫度雙向切換，加熱冷卻雙 PID 協(xié)同控制，能快速響應材料生長放熱（如晶體生長過程中瞬時熱負荷提升 20%）、生長容器批量更換（溫場沖擊）帶來的溫度波動，確保生長區(qū)域（如生長爐、反應釜）溫度波動≤±0.5℃，避免因溫度偏差導致材料性能偏離設計值（如半導體材料電阻率偏差超 10%）。

支持 100 組可編工藝程序，每組含 100 條步驟，可預設 “預熱→恒溫生長→梯度降溫定型" 全流程溫控曲線（如 “45℃預熱 30min（生長容器預熱）→120℃恒溫 4h（晶體生長）→50℃降溫（0.3℃/min，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定）"），一鍵調(diào)用自動執(zhí)行，減少人工操作誤差，保障不同批次材料生長數(shù)據(jù)重復性。配備 7 寸邁浦特定制觸摸顯示屏，實時顯示設定溫度、實際溫度及動態(tài)溫度曲線；支持 USB 數(shù)據(jù)導出功能，可按 1 分鐘～24 小時周期導出溫度數(shù)據(jù)，滿足工藝追溯需求；通訊方式標配 Modbus RS485，可與生長監(jiān)測系統(tǒng)（如光學顯微鏡、厚度測量儀）聯(lián)動，實現(xiàn)溫控參數(shù)與材料生長狀態(tài)數(shù)據(jù)同步采集。

2. 穩(wěn)定循環(huán)與低干擾，保障生長精準

高效循環(huán)系統(tǒng)：采用直接加熱（直接冷卻）方式，加熱功率 5.5~25kW 可按需適配（小型研發(fā)級材料生長選 5.5~10kW，量產(chǎn)級生長選 15~25kW）。加熱管選用 SUS316L 不銹鋼材質(zhì)，法蘭型連接搭配陶瓷絕熱設計，熱效率達 95% 以上，減少熱量損耗；全密閉管道式設計結(jié)合高效板式熱交換器，降低硅油需求量的同時提升熱量利用率，快速響應溫度調(diào)節(jié)需求，縮短生長準備時間（如從常溫升至 200℃僅需 25 分鐘）。

配備邁浦特定制磁力油泵，耐溫 - 110℃~350℃，軸承采用日本 NSK 軸封，運行零泄漏，防止硅油滲漏污染生長容器或材料；油泵揚程與流量可定制（揚程 28~100M、流量 6.5~250m3/h），高揚程適配多層生長裝置布局，大流量確保硅油在生長爐夾套、容器流道內(nèi)均勻流動，使同一批次生長材料各區(qū)域溫度偏差≤±0.5℃，避免局部生長不均致材料性能差異。主管路系統(tǒng)為不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)無縫氬弧焊接工藝處理，搭配高溫 Y 型過濾器，過濾硅油中金屬碎屑、雜質(zhì)，防止堵塞流道，保障循環(huán)穩(wěn)定性與生長環(huán)境潔凈。

低干擾設計：設備運行噪音≤75dB、振動≤0.2mm/s，不會干擾材料生長過程中精密監(jiān)測設備（如激光干涉儀、XRD 衍射儀）的使用；膨脹箱內(nèi)硅油不參與循環(huán)，溫度維持在常溫～60℃，減少硅油氧化與揮發(fā)，避免揮發(fā)物混入生長體系影響材料純度，無需頻繁更換介質(zhì)，降低生長中斷時間，契合連續(xù)化材料生長需求。

3. 多重安全保護，規(guī)避生長風險

具備 10 重全面安全保護裝置，多維度保障設備運行、操作人員及貴重材料樣品安全：

溫度與介質(zhì)保護：循環(huán)硅油超材料生長安全溫度上限（如 300℃，防止材料碳化或結(jié)構(gòu)破壞）或低于下限（如 - 45℃，避免生長容器凍裂）時，自動切斷電源并聲光報警；液位開關(guān)實時監(jiān)測油位，缺油時立即停機，避免油泵空轉(zhuǎn)損壞，同時防止溫控中斷導致未完成生長的高價材料（如半導體單晶、光學晶體）報廢。
動力與壓力保護：瑞士 CARLO DPA51CM44 逆相保護器檢測電源相位，防止泵浦反轉(zhuǎn)；德國西門子 3RU6116 熱繼電器保護泵浦與壓縮機超載，報警提示；系統(tǒng)壓力異常（高壓≥2.8MPa、低壓≤0.2MPa）時，自動停止加熱并啟動泄壓保護，避免管路爆裂損壞生長設備；BY-PASS 泄壓回路防止管路阻塞（如雜質(zhì)堵塞）損壞泵浦，保障循環(huán)系統(tǒng)穩(wěn)定。
應急保護功能：配備手動 / 自動排氣功能，快速排出系統(tǒng)內(nèi)空氣，確保溫控精度；緊急停止按鈕可在設備異常（如溫度驟升）時手動切斷運行，適配無人值守的連續(xù)生長場景；短路（超溫）保護采用韓國 LS 空氣開關(guān)，快速切斷故障電路，避免引發(fā)安全事故或生長數(shù)據(jù)丟失。

4. 定制化適配，貼合生長場景

支持多維度定制，滿足不同材料生長的多樣化需求：

接口與布局定制：熱媒體進 / 出口管徑（內(nèi)螺紋 Rc1/2" 及其他規(guī)格可選）可根據(jù)生長設備（如小型生長爐、量產(chǎn)級反應釜）接口規(guī)格定制，無需改造現(xiàn)有設備，降低安裝成本；可根據(jù)實驗室或車間空間（如狹小研發(fā)區(qū)、多生產(chǎn)線布局）定制機架尺寸，底部加裝萬向輪，便于設備移動與定位。
功能擴展定制：針對高精度材料生長需求，可定制 ±0.05℃超高精度控溫模塊；針對高潔凈度要求（如半導體材料），可定制硅油超凈過濾模塊（過濾精度≥1μm）；針對遠程運維需求，可選配以太網(wǎng)通訊功能，實現(xiàn)與遠程監(jiān)控系統(tǒng)聯(lián)動，適配多場地協(xié)同生產(chǎn)或研發(fā)。

三、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)（典型機型）

參數(shù)類別	具體參數(shù)
電源規(guī)格	3N-380V-50Hz（允許電壓波動 ±10%，相間電壓差 ±2%）
總電功率	9.5~37kW（380V 3N）
熱媒體	硅油（耐 - 45℃~300℃，低揮發(fā)、抗老化，與生長材料無兼容性風險）
控溫范圍	-45℃~300℃
控溫精度	PID±0.1℃
控溫方式	邁浦特 PLC 系統(tǒng)，9 組獨立 PID 分段控溫，加熱冷卻雙 PID 控制，溫度切換功能
加熱功率	5.5~25kW（可選購，適配不同生長規(guī)模）
制冷量	-40℃：0.9~4.7kW；-20℃：2.9~16kW；0℃/20℃/300℃：5.5~25kW（可選購）
循環(huán)泵	邁浦特定制磁力油泵，耐溫 - 110℃~350℃，日本 NSK 軸封（揚程、流量可定制）
主管路材質(zhì)	不銹鋼，無縫氬弧焊接工藝
節(jié)流方式	電子膨脹閥或毛細管
安全保護	溫度異常、電源逆相、泵浦超載、缺油、壓力異常、管路阻塞等 10 重保護
數(shù)據(jù)功能	7 寸觸摸顯示屏（實時溫度 + 曲線顯示），USB 導出 24 個月數(shù)據(jù)，Modbus RS485 通訊
工作環(huán)境	溫度 0-40℃，相對濕度 50%-80%，無腐蝕性氣體、低粉塵（符合材料生長要求）
設備特性	低振動（≤0.2mm/s）、低噪音（≤75dB）、全密閉循環(huán)（防材料污染）

四、安裝與環(huán)境適配要求

1. 安裝規(guī)范

電源配置：需使用三相 380V 50Hz + 地線，建議采用 3xmm2+1xmm2 銅芯電纜線（由需方自備），電纜規(guī)格根據(jù)設備總功率匹配（如 9.5kW 機型選 3x4mm2+1x2.5mm2），確保電源輸出穩(wěn)定，避免電壓波動影響溫控精度。
管路連接：熱媒體出入口建議采用不銹鋼硬管連接，需跨越生長區(qū)域時可配備耐高溫不銹鋼軟管（長度≤3 米，由需方自備）并加裝保溫管（厚度≥20mm），減少熱損耗；水冷機型需接入潔凈冷卻水（溫度≤20℃，壓力 0.15-0.3MPa），冷卻水需為不含懸浮物的潔凈水（PH 值 7.5-8.5，水硬度＜200mg/L 以 CaCO?計），防止換熱器結(jié)垢影響換熱效率。
調(diào)試條件：在硅油、電供應正常且與生長設備連接完成后調(diào)試，先空載試運行 24 小時，確認控溫精度、循環(huán)穩(wěn)定性及安全保護功能正常；再帶載調(diào)試（用模擬生長工裝測試熱負荷），驗證生長區(qū)域溫場均勻性達標（各點溫差≤±0.5℃）后，方可投入正式材料生長。

2. 環(huán)境適配

設備可直接安裝于材料生長實驗室（如潔凈生長區(qū)、研發(fā)測試區(qū)）或生產(chǎn)車間，機架采用 2mm 厚碳鋼噴塑處理，防腐蝕、易清潔，可耐受常規(guī)清潔消毒；運行適配 0-40℃的常規(guī)環(huán)境溫度，無需額外恒溫改造，降低場地建設成本；設備整體設計緊湊，可靈活擺放于生長設備旁，不占用核心操作與材料存儲空間。