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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

歐械(廈門(mén))科技研究院(有限合伙)


經(jīng)營(yíng)模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:22條

所在地區(qū):福建廈門(mén)市

聯(lián)系人:施志偉 (總經(jīng)理)

  • 英飛凌芯片22 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V,連續(xù)漏極電流達(dá)190...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC320N20NS3G所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-21 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片21 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V,連續(xù)漏極電流達(dá)190...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC190N15NS3G所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-21 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片20 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC070N10NS5是一款采用OptiMOS 5技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET。它憑借超結(jié)技術(shù),在單芯片上實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻(典型值僅0.7mΩ)...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC070N10NS5所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片19 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC070N10NS3G是一款N溝道OptiMOS?功率MOSFET,專(zhuān)為高頻高效應(yīng)用設(shè)計(jì)。其采用超結(jié)技術(shù),具備100V的漏源電壓和僅7.2mΩ的超低導(dǎo)通電阻...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC070N10NS3G所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片18 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC057N08NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在提供效率和功率密度。該器件具有80V的漏源電壓額定值和57A的持續(xù)...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC057N08NS3G所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片17 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC040N10NS5是一款采用OptiMOS 5技術(shù)的100V邏輯電平N溝道功率MOSFET。其在10V柵極驅(qū)動(dòng)下,導(dǎo)通電阻低至4.0mΩ,并具備40A的持...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC040N10NS5所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片16 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET,采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢(shì)在于極低的導(dǎo)通電阻(典型值僅0....

    產(chǎn)品型號(hào):BSC030N08NS5所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片15 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET,采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢(shì)在于極低的導(dǎo)通電阻(典型值僅0....

    產(chǎn)品型號(hào):BSC030N03LSGATMA1所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片14 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BSC014N04LS是一款采用OptiMOS?技術(shù)的N溝道功率MOSFET,其性能使其成為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。該器件額定電壓為40V,持續(xù)漏極電流達(dá)1...

    產(chǎn)品型號(hào):BSC014N04LS所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片13 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專(zhuān)為高性能射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內(nèi)提供電...

    產(chǎn)品型號(hào):BGA 725L6 E6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片12 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專(zhuān)為高性能射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內(nèi)提供電...

    產(chǎn)品型號(hào):BGA 524N6 E6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-20 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片11 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BFP650H6327是一款高性能的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,專(zhuān)為低噪聲、高增益的微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其工作頻率覆蓋至25 GHz,典型噪聲系數(shù)在10 GHz時(shí)低至0....

    產(chǎn)品型號(hào):BFP650H6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-16 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片10 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BCR421UE6327是一款集成了電流設(shè)定電阻的線(xiàn)性LED驅(qū)動(dòng)器,采用緊湊的SOT-143B封裝。它設(shè)計(jì)用于提供恒定電流,輸出電流達(dá)180mA,并能承受高達(dá)4...

    產(chǎn)品型號(hào):BCR421UE6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-16 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片09 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BCR402U是一款采用緊湊型SOT-23-6封裝的低壓差線(xiàn)性LED驅(qū)動(dòng)芯片。它設(shè)計(jì)用于提供高達(dá)20mA的恒定電流,以驅(qū)動(dòng)單個(gè)LED或作為并聯(lián)LED的恒流源。其...

    產(chǎn)品型號(hào):BCR402UE6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-16 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片08 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: BCR 401U E6327是英飛凌推出的一款高性能、可調(diào)線(xiàn)性恒流源驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)中低功率LED而優(yōu)化設(shè)計(jì)。它集成了一個(gè)低壓差MOSFET,能夠在寬廣的輸入電...

    產(chǎn)品型號(hào):BCR 401U E6327所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-15 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片07 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: 2EDS8265H是一款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的雙通道增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它采用無(wú)磁芯變壓器技術(shù),提供高達(dá)5kVrms的電氣隔離,確保系統(tǒng)安全可...

    產(chǎn)品型號(hào):2EDS8265H所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-15 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片06 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: 2EDN7524F是一款專(zhuān)為高頻應(yīng)用優(yōu)化的雙通道低邊柵極驅(qū)動(dòng)器芯片。它采用緊湊的DSO-8封裝,并集成了自舉二極管,有效節(jié)省了電路板空間和外部元件成本。該芯片可...

    產(chǎn)品型號(hào):2EDN7524F所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-15 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片05 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: 2ED020I12-FI是一款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)中高壓功率MOSFET和IGBT而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器IC。它具備高達(dá)1200V的電氣隔離能力,使其非常適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)...

    產(chǎn)品型號(hào):2ED020I12-FI所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-14 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片04 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: 1EDI60N12AF是一款基于無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)1200V IGBT和MOSFET而設(shè)計(jì)。它集成了*的6A輸出電流能力,可提供快速...

    產(chǎn)品型號(hào):1EDI60N12AF所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-14 在線(xiàn)留言

  • 英飛凌芯片03 / 歐械科技研究院

    詳細(xì)摘要: 1EDI60I12AF是一款基于無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的單通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它具備高達(dá)5 kVrms的電氣隔離強(qiáng)度,并能提供±6 A的峰值輸出電流,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)1...

    產(chǎn)品型號(hào):1EDI60I12AF所在地:廈門(mén)市更新時(shí)間:2025-10-11 在線(xiàn)留言

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