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半導體雪崩耐量測試儀

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參考價: ￥ 101

訂貨量: ≥1 臺

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產(chǎn)品型號BW-UIS-3500

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更新時間：2025-03-28 10:39:45瀏覽次數(shù)：212次

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陜西博微電通科技有限責任公司

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
自動化程度	全自動

可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。*二管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應在各種應用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化）

詳細介紹

BW-UIS-3500

半導體雪崩耐量測試儀

BW-UIS-3500半導體雪崩耐量測試儀雪崩能量測試系統(tǒng)是專門設計測試 IGBT 、二極管、SiC 系列 MOS 管的測試設備，該設備主要組成單元有：泰克示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓控制、IGBT 功率器件、IGBT 器件過壓、過流保護電路、計算機程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器等。測試方法參考 MIL-STD-750F.3470，測試電流 0.1-200。

技術指標：

進線電壓：AC220V±10%

功率消耗：1.5KW

電源電壓VDD：10-200V 分辨率 1V,誤差 3%

雪崩電壓V(BR)DUT：100-3500V 實測范圍值（根據(jù)客戶要求可定制）

雪崩能量EAS：實測 1-10J 實測計算值

雪崩電流IAS：1.0-200A 實測值。分辨率 1V,誤差 3%（根據(jù)客戶要求可定制測試范圍）

電感 L：0.1-100mH 任選測試值，測試過程自動執(zhí)行，誤差 5%

雪崩電壓波形：近似方波

脈沖寬度：10uS-10000uS

測試頻率：單次、步進

系統(tǒng)說明：設備的所有工作程序，工作時序，開關的動作狀態(tài)，數(shù)據(jù)的采集等均由計算機完成。工業(yè)控制機，具有抗電磁抗干擾力強，排風量大等特點