氯化爐爐襯耐火材料的損毀速度主要受AL2O3一SiO2材料中碳熱還原速度的控制。其損毀過程為： （1）在磚內(nèi)部，外部的CO氣體通過材料的孔隙向材料內(nèi)部擴散，與SiO2發(fā)生碳熱還原反應(yīng)生成SiO和CO2氣體向外部擴散，到達磚表面時，SiO氣體與表面的C和CL2反應(yīng)生成SiGL4氣體，SiGL4氣體向爐內(nèi)擴散。而CO氣體與SiO2的碳熱還原反應(yīng)導致材料結(jié)構(gòu)松散，進一步形成外部CO向磚內(nèi)部滲透的通道，......

氯化爐爐襯耐火材料的損毀速度主要受AL2O3一SiO2材料中碳熱還原速度的控制。其損毀過程為：

　?。?）在磚內(nèi)部，外部的CO氣體通過材料的孔隙向材料內(nèi)部擴散，與SiO2發(fā)生碳熱還原反應(yīng)生成SiO和CO2氣體向外部擴散，到達磚表面時，SiO氣體與表面的C和CL2反應(yīng)生成SiGL4氣體，SiGL4氣體向爐內(nèi)擴散。而CO氣體與SiO2的碳熱還原反應(yīng)導致材料結(jié)構(gòu)松散，進一步形成外部CO向磚內(nèi)部滲透的通道，如此反復，直到磚內(nèi)部CO壓力小到無法與SiO2發(fā)生碳熱還原反應(yīng)或達不到反應(yīng)溫度為止。

　?。?）在磚的表面，SiO2直接與C發(fā)生碳熱還原反應(yīng)生成SiO和CO，生成的SiO又與C和CL2，反應(yīng)生成SiGL4，直接向爐內(nèi)擴散。

　　（3）外部夾雜著 TiO2。微細顆粒的SiCL4氣體通過SiO2碳熱還原反應(yīng)形成的通道，則不斷 向磚內(nèi)部滲透，形成AL2O3一SiO2一TiO2 液相 (TiCL4對此相圖的影響無資料報道)，從而加速材料的結(jié)構(gòu)解體，導致耐磨性能急劇下降。

　　（4）無論在磚內(nèi)部或表面，莫來石顆?；揪３至似湓w粒形貌，再次證明了其損毀速度是由碳熱還原速度控制的，與氯化反應(yīng)速度無關(guān)(雖然從熱力學上莫來石最容易發(fā)生氯化反應(yīng) )。