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更新時(shí)間：2026-08-23 08:18:02瀏覽次數(shù)：30

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7nm微電子器件教學(xué)套件

14nm集成電路工藝教學(xué)套件

7nm集成電路虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）實(shí)驗(yàn)室

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7nm微電子器件教學(xué)套件主要特性 ●使用真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)進(jìn)行教學(xué)：基于真實(shí)的工業(yè)器件數(shù)據(jù)，開展器件特性分析、建模與仿真實(shí)踐，幫助教師和學(xué)生進(jìn)行半導(dǎo)體教學(xué)?！窬C合全面：能夠演示大多數(shù)的半導(dǎo)體器件類型（如FinFET,28nmCMOS,SOI,Bipolar,III/V及無源器件），和典型電路例如環(huán)形振蕩器和SRAM。通過真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)與實(shí)踐，更有效地闡明器件物理及建模原理?！衽c時(shí)......

詳細(xì)介紹

當(dāng)前工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm FinFET 時(shí)代（如：蘋果A13處理器、華為麒麟980處理器、高通驍龍855處理器），結(jié)合20年工業(yè)界Foundry服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，我們推出了7nm微納電子器件教學(xué)套件，縮小高校教學(xué)與工業(yè)界的gap。

1. 真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)虛擬化的器件和典型電路單元：
7nm FinFET；HEMT GaN；28nm & 180nm NMOS&PMOS；LDMOS；TB SOI&FD SOI；NPN&PNP BJT；Diode；Resistor；Capacitor；Varactor；JFET；TFT；SRAM；RO

2. 虛擬化測(cè)試儀器
源測(cè)試單元：測(cè)量器件的IV特性
LCR Meter：測(cè)量器件的CV特性

3. 虛擬化測(cè)量環(huán)境
外界溫度：可進(jìn)行高低溫測(cè)試
測(cè)量時(shí)間：用于可靠性測(cè)試如HCI，NBTI等
輻照劑量：器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性