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陜西天士立科技有限公司


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晶體管動態(tài)特性測試儀

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參   考   價: ¥ 980000

訂  貨  量: ≥1 套

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號STA1200

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:王偉查看聯(lián)系方式

更新時間:2024-04-29 17:26:24瀏覽次數(shù):398次

聯(lián)系我時,請告知來自 制藥網(wǎng)

經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:13條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:王偉 (總經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新

適用于Si(選配 SiC , GaN)材料的單管級IGBTs, Diodes, MOSFETs,的動態(tài)特性測試電壓源 1200V(選配 2000V)電流源 100A(選配 200A/300A)驅(qū)動電壓±20V(選配±30V)個性單元與主機靈活搭配,計算機程控操作

詳細(xì)介紹

晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)

 

適用于Si(選配 SiC , GaN)材料的單管級IGBTs, Diodes, MOSFETs,的動態(tài)特性測試

電壓源 1200V(選配 2000V)電流源 100A(選配 200A/300A)驅(qū)動電壓±20V(選配±30V)

個性單元與主機靈活搭配,計算機程控操作

 

 

 

試驗?zāi)芰?/span>

基本配置

ü 標(biāo)配,開通特性測試單元 / Turn_ON

ü 標(biāo)配,關(guān)斷特性測試單元 / Turn_OFF

ü 標(biāo)配,二極管反向恢復(fù)測試單元 / Trr

ü 標(biāo)配,柵電荷測試單元 / Qg

¨   選配,容阻測試單元 / CR

¨   選配,短路測試單元 / SC

¨   選配,雪崩測試單元 / UIS

¨   選配,安全工作區(qū)單元 / SOA

¨   選配,動態(tài)電阻單元 /

高壓源:1200V(選配 2000V)

高流源:100A(選配 200A/300A/500A)

驅(qū)動電壓:±20V(選配±30V)

時間分辨率:1ns(選配 400ps/200ps/100ps)

系統(tǒng)雜感:<20nH

測試對象:Si(選配SiC/GaN)材料IGBTs , Diodes , MOSFETs(選配BJT)

變溫測試:常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載:程控電感(0.01mH-160mH,步進10uH),選配定制電感

阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω)備用三個電阻

測試管型:可以測試N溝道和P溝道的IGBTs , MOSFETs

測試標(biāo)準(zhǔn):國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9/IEC60747-2

國標(biāo)GB/T29332/GB/T4023

 

 

 

 

 






產(chǎn)品概述

STA1200 型晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng),是一款主要面向“單管級器件"用戶服務(wù)的測試設(shè)備,可實現(xiàn)對Si 基(選配SiC/GaN)材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT的多種動態(tài)參數(shù)的精確測試,測試原理符合國GJ標(biāo)。

能夠測試測試的參數(shù)包括開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延 遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù) 充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路等等。

通過更換不同個性單元(簡稱DUT)以達到對應(yīng)的測試項目,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、讀取保存測試結(jié)果。系統(tǒng)集成度高,性能穩(wěn)定,具有升級擴展?jié)撃芎土己玫娜藱C交互。

該測試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團隊結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測試的多年經(jīng)驗,以及眾多國內(nèi)外測試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,自主開發(fā)設(shè)計的全新一代“晶體管動態(tài)特性手動測試平臺"。軟件及硬件均由團隊自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性以及擴展性能夠得到持續(xù)*和不斷的提升。為從事功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的測試用戶奉上一款優(yōu)秀產(chǎn)品。

 

測試參數(shù)

switch

Trr

Qg

SC

UIS

CR

td(on)開通延遲

td(off)關(guān)斷延遲

tr 上升時間

tf 下降時間

ton 開通時間

toff 關(guān)斷時間

Eon 開通損耗

Eoff 關(guān)斷損耗

反向恢復(fù)時間 Trr

反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)電流 Irm

反向恢復(fù)損耗 Erec

軟度因子 FRRS

電流下降率 di/dt

電壓變化率 dv/dt

Qg(th)閾值電荷

Vg 平臺電壓

Qg 柵電荷

Qgs 柵源電荷

Qgd 柵漏電荷

 

Icsc 短路電流

Tsc 短路時間

Esc 短路耐量

EAS 雪崩能量

IAS 雪崩電流

PAS 雪崩功率

Ciss 輸入電容

Coss 輸出電容

Cres 反饋電容

Rg 柵極電阻

 

 


外觀架構(gòu)

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

系統(tǒng)特點

  1. 專注于寬禁帶功率器件動態(tài)參數(shù)評測,基于平臺開發(fā)的人機交互界面,所有測試條件均可界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動調(diào)節(jié)實現(xiàn)一鍵測試;

  2. 采用光纖驅(qū)動信號通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強;

  3. 設(shè)備帶有自動高溫加熱功能,溫度范圍:室溫~200℃,精度±0.1℃;

  4. 結(jié)果輸出形式:Excel數(shù)據(jù),.JPEG格式波形,Excel波形數(shù)據(jù),其波形可實現(xiàn)任意放大,縮小細(xì)節(jié)展寬處理分析;

  5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測);

  6. 柵極驅(qū)動電阻Rg端口開放,方便客戶按照設(shè)定條件匹配電阻;

  7. 采用Dual ARM控核,DSP作數(shù)據(jù)采樣計算,極大的減少了控制時延帶來的誤差;

     


    參數(shù)指標(biāo)

√ 標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓測試范圍:5V-1200V,分辨率 1V

漏極電流測試范圍:1A-100A,分辨率1A;

柵極驅(qū)動:±20V(選配±30V),分辨率 0.1V

MAX柵極電流:2A

脈沖寬度:1us-500us,步進 0.1us

時間測試精度:1ns

感性負(fù)載:0.01mH-160mH 程序控制,步進 10uH

阻性負(fù)載:1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω,程序控制,備用三個電阻

開通/關(guān)斷時間 ton/toff:1-10000ns分辨率1ns(選配400/200/100ps)

開通/關(guān)斷延遲 td(on)/td(off):0.1-10000ns@1ns(選配400/200/100ps)

上升/下降時間 tr/tf:1-10000ns分辨率1ns(選配400/200/100ps)

開通/關(guān)斷損耗 Eon/Eoff:1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

√ 標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測試單元 / Qrr_FRD

正向電流:1A-25A,分辨率 0.1A

25A-100A(選配200A/300A)分辨率 1A

反向電壓:5v-100V,步進 0.1V

100V-1200V,步進 1.0v

反向恢復(fù)時間 Trr:1-10000ns,最小分辨率1ns(選配400/200/100ps)

反向恢復(fù)電荷 Qrr:1nC-100µC,最小分辨率 1nC;

反向恢復(fù)電流 Irm:1A-100A(選配200A/300A);

反向恢復(fù)損耗 Erec:1-2000mJ,最小分辨率 1uJ;

電流下降率 dif/dt:50-1kA/us;

電壓變化率 dv/dt:50-1kV/us。

¨ 選配 容阻測試單元 / CR

電容測試掃頻范圍:0.1MHz~5MHz

漏源極電壓:1200V,分辨率 1V

測試參數(shù):Ciss、Coss、Cres

√ 標(biāo)配 柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動電流:0-2mA,分辨率 0.01mA

2-20mA,分辨率 0.1mA

20mA-200mA,分辨率 1mA

柵極電壓:±20V(選配±30V)@0.1V

恒流源負(fù)載:1-25A,分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓:5-100V,步進 0.1V

100-1200V,步進 1.0V

柵極電荷 Qg:1nC-100µC

漏極電荷 Qgs:1nC-100µC

源極電荷 Qgd:1nC-100µC

平臺電壓 Vgp:0~30V,分辨率 0.1V

¨ 選配 短路特性測試單元 / SC

最MAX電流:1000A

脈寬:1us~100us

柵驅(qū)電壓:±20V(選配±30V)@0.1V

漏極電壓:5V~100V,0.1V 分辨率

100V~1200V,1.0V 分辨率

¨ 選配 雪崩測試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS:100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS:1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH,程控可調(diào)

¨ 選配 動態(tài)電阻Ron,dy

測試標(biāo)準(zhǔn)與原理

 

 

 


關(guān)鍵電路及部件

主電路

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

測試板

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 


 

測試板布局

 

? 低寄生Layout       ? 高抗噪       

? VDS(on)鉗位電路       ? 探頭自動校準(zhǔn)

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

 

 

邏輯控制板

? 柵極光纖通信            ? FPGA+DSP架構(gòu)           ? 波形數(shù)據(jù)深度存儲技術(shù)

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

人機界面

初始界面

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

 

系統(tǒng)設(shè)置界面

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置界面

 

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

 

 

 

系統(tǒng)自動校準(zhǔn)

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

實測展示

下管驅(qū)動使能,電感與上管體二極管并聯(lián)

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

雙脈沖測試結(jié)果

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀


測試鏈路圖(采樣部分)上管驅(qū)動使能,電感自動切換與下管體二極管并聯(lián)

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 

 

反向恢復(fù)測試結(jié)果

 

 

晶體管動態(tài)特性測試儀

 

 


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