PECVD系統(tǒng)就是為了使傳統(tǒng)的化學(xué)氣象沉積（CVD）反應(yīng)溫度降低，在普通CVD裝置的前端加入RF射頻感應(yīng)裝置將反應(yīng)氣體電離，形成等離子體，

利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，所以這個(gè)系統(tǒng)稱為增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）。

主要特點(diǎn)：

1. 管內(nèi)真空度自動(dòng)平衡——管內(nèi)真空度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，自動(dòng)平衡。PECVD工藝要求石英管內(nèi)真空度通常在0.1～100Pa之間，該型號(hào)PECVD的AIO控制系統(tǒng)會(huì)通過真空泵的自動(dòng)啟停來維持用戶設(shè)定的管內(nèi)真空度，使成膜效果達(dá)的均勻性。

2. AIO控制系統(tǒng)——加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制集中于一個(gè)7英寸觸摸屏進(jìn)行統(tǒng)一集中調(diào)節(jié)和操控，協(xié)調(diào)控制——成儀AIO控制系統(tǒng)；

3. 射頻功率的定時(shí)控制——預(yù)先設(shè)定好功率的大小和打開與關(guān)閉的時(shí)間，自動(dòng)運(yùn)行；

4. 爐膛移動(dòng)速度可調(diào)——根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求，用戶可設(shè)定爐膛左右移動(dòng)的速度可距離，在沉積結(jié)束后爐膛可自動(dòng)移開沉積區(qū)，使樣品快速冷卻；

5.增加了氣體預(yù)熱溫區(qū)，在氣體電離前把反應(yīng)氣體加熱到實(shí)驗(yàn)溫度，使得沉積效果更佳穩(wěn)定，縮短沉積時(shí)間。