科學合理的結構工藝讓它不但擁有精美的外形和小巧的體積，而且通過精心設計的殼體風冷循環(huán)結構，使得爐膛溫度在高達1200℃時，外殼表面溫度始終低于60℃，對周邊電器不會造成任何影響。

加熱絲螺旋狀豎向圓周均勻分布，使得爐膛內溫度分布恰到好處地達到了上高下低的微弱梯度分布，符合實現(xiàn)晶體生長所需要的溫度梯度分布，生長出來的晶體較常規(guī)馬弗爐生長出來的品質和成品率大幅提升。

精巧的圓柱型爐膛結構，上開蓋模式，極大地提高了樣品裝載率。生長同樣產量的晶體比常規(guī)馬弗爐的外型體積縮小了2/3，提高了實驗室和廠房的空間利用率。

同等條件下，該設備比常規(guī)馬弗爐實現(xiàn)了體積縮小2/3，功率損耗節(jié)省了20%，成品率提高了15%.