UV光解凈化設(shè)備利用特制的高能高臭氧UV紫外線光束照射惡臭氣體，裂解惡臭氣體如：氨、三甲胺、硫化氫、甲硫氫、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫、二硫化碳和苯乙烯，硫化物H2S、VOC類，苯、甲苯、二甲苯的分子鏈結(jié)構(gòu)，使有機或無機高分子惡臭化合物分子鏈，在高能紫外線光束照射下，降解轉(zhuǎn)變成低分子化合物，如CO2、H2O等。

 

 

    利用高能高臭氧UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產(chǎn)生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負電子不平衡所以需與氧分子結(jié)合，進而產(chǎn)生臭氧。UV＋O2→O- O＊(活性氧)O O2→O3(臭氧),臭氧對有機物具有的氧化作用，對惡臭氣體及其它刺激性異味有的清除效果。

惡臭氣體利用排風設(shè)備輸入到本凈化設(shè)備后，凈化設(shè)備運用高能UV紫外線光束及臭氧對惡臭氣體進行協(xié)同分解氧化反應，使惡臭氣體物質(zhì)其降解轉(zhuǎn)化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通過排風管道排出室外。

 

    利用高能UV光束裂解惡臭氣體中細菌的分子鍵，破壞細菌的核酸（DNA），再通過臭氧進行氧化反應，達到脫臭及殺滅細菌的目的．

    

      它具有適應性強、運行成本低、設(shè)備占在面積小等特點，應該應用于煉油廠、橡膠廠、化工廠、制藥廠、污水處理廠、垃圾轉(zhuǎn)運站、餐廚垃圾處理廠、飼料廠、印染廠、噴涂廠等各種有污染源惡臭氣體的脫臭凈化。

 

技術(shù)原理：

半導體光催化劑大多是n型半導體材料（當前以為TiO2使用泛）都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結(jié)構(gòu),即在價帶(ValenceBand,VB)和導帶(ConductionBand,CB)之間存在一個禁帶(ForbiddenBand,BandGap)。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機物氧化至最終產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能分解。

常見的光催化劑多為金屬氧化物和硫化物，如Tio2, ZnO,CdS,WO3等，其中Tio2的綜合性能，應用。自1972年Fujishima和Honda發(fā)現(xiàn)在受輻照的Tio2上可以持續(xù)發(fā)生水的氧化還原反應，并產(chǎn)生H2以來，人們對這一催化反應過程進行了大量研究。結(jié)果表明，Tio2具有良好的抗光腐蝕性和催化活性，而且性能穩(wěn)定，價廉易得，無毒無害，是目前的光催化劑。該項技術(shù)不僅在廢水凈化處理方面具有巨大潛力，在空氣凈化方面同樣具有廣闊的應用前景。

光催化劑納米粒子在一定波長的光線照射下受激生成電子—空穴對，空穴分解催化劑表面吸附的水產(chǎn)生氫氧自由基，電子使其周圍的氧還原成活性離子氧，從而具備的氧化—還原作用，將光催化劑表面的各種污染物摧毀 。