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北京科恩眾和工業(yè)控制技術(shù)有限公司>>Panasonic(松下電器)>>光電傳感器>>M-DW1晶圓定位傳感器 M-DW1

晶圓定位傳感器 M-DW1

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  • 晶圓定位傳感器 M-DW1

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  • 型號(hào) M-DW1
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 所在地 北京市

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更新時(shí)間:2026-04-11 08:13:05瀏覽次數(shù):85

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

采用安全的LED光源的反射型晶圓定位傳感器

詳細(xì)介紹

采用安全的LED光源的反射型晶圓定位傳感器

晶圓定位傳感器  M-DW1
CE※1 Recognition※2
※1 EMC指令
※2 Recognition認(rèn)證

特點(diǎn)

安全性的LED式

以往使用激光的激光式定位傳感器,激光會(huì)從加載口內(nèi)側(cè)穿過(guò)FOUP直射操作人員,十分危險(xiǎn)。
M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。

安全性的LED式

亦可檢測(cè)玻璃晶圓

M-DW1以反射光的位置來(lái)檢測(cè),不管反射光量的多少都能檢測(cè)出玻璃晶圓。

亦可檢測(cè)玻璃晶圓

可檢測(cè)涂氮晶圓

氮化膜具有可吸收特定波長(zhǎng)光的性質(zhì),吸收的波長(zhǎng)因氮化膜的厚度而不同。因此,對(duì)于使用單波長(zhǎng)激光的傳感器,可能會(huì)因光全被吸收而無(wú)法檢測(cè)。
而LED光源的光具有一定波長(zhǎng)段,即使氮化膜晶圓也可準(zhǔn)確檢測(cè)。

0.5ms的高速反應(yīng)

實(shí)現(xiàn)0.5ms的高速反應(yīng)。兼顧高速反應(yīng)性和高精度。

基于2段受光元件的高精度位置檢測(cè)

利用反射光量檢測(cè)時(shí),反射光量和晶圓的邊緣形狀會(huì)影響檢測(cè)結(jié)果。M-DW1的受光部使用2段受光元件,通過(guò)反射光位置而非反射光量進(jìn)行檢測(cè)。因此,受晶圓厚度和反射光量的影響較小。

基于2段受光元件的高精度位置檢測(cè)

可從四個(gè)方向引出電纜

傳感器可以從正前方、右側(cè)、左側(cè)、下方四個(gè)方向引出電纜。可根據(jù)傳感器的設(shè)置情況靈活調(diào)節(jié)。

可從四個(gè)方向引出電纜

內(nèi)置放大器的小巧、輕盈型

尺寸為寬度80.6mm×厚度18.3mm×進(jìn)深50mm,質(zhì)量約為75g的小巧、輕盈型。

內(nèi)置放大器的小巧、輕盈型

種類

型號(hào) 形狀 中心檢測(cè)距離 檢測(cè)物體 輸出
M-DW1 45mm 3以上的半導(dǎo)體晶圓 NPN輸出/PNP輸出通過(guò)切換開關(guān)選擇

規(guī)格

種類 LED式反射型
型號(hào) M-DW1
中心測(cè)量距離 45mm
檢測(cè)物體 3英寸以上的半導(dǎo)體晶圓(注2)
可對(duì)應(yīng)檢測(cè)面 有受光方向反射面的端面形狀的檢測(cè)面(注3)
檢測(cè)角度 12.5±5°(注4)
晶圓間距 間距3mm以上時(shí),可按通常靈敏度進(jìn)行分離檢測(cè)(注5)
適用晶圓盒 SEMI規(guī)格FOUP晶圓盒/開放式晶圓盒
電源電壓 12?24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流 65mA以下
輸出 NPN輸出/PNP輸出 可由切換開關(guān)選擇

NPN開路集電極晶體管
?流入電流:100mA 
?外加電壓:30V DC以下(輸出和0V之間)
?剩余電壓:1V以下(流入電流為100mA時(shí))
        0.4V以下(流入電流為16mA時(shí))

PNP開路集電極晶體管
?源電流:100mA
?外加電壓:30V DC以下(輸出和+V之間)
?剩余電壓:1V以下(源電流為100mA時(shí))
        0.4V以下(源電流為16mA時(shí))
輸出動(dòng)作 可用切換開關(guān)選擇入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON
短路保護(hù) 裝備(自動(dòng)復(fù)位)
反應(yīng)時(shí)間 500μs以下
工作狀態(tài)指示燈 橙色LED(輸出ON時(shí)亮起)
穩(wěn)定指示燈 綠色LED(穩(wěn)定入光時(shí)、穩(wěn)定非入光時(shí)亮起點(diǎn)燈)
定時(shí)器功能 裝備約2ms固定斷開延遲定時(shí)器 有效/無(wú)效切換式
投光停止輸入 信號(hào)條件
?投光停止:斷開或4?8V
?投光:0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度切換輸入 信號(hào)條件
?輸入OFF:斷開或4?8V
?輸入ON :0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度設(shè)定 背面教導(dǎo):按本體靈敏度設(shè)定按鈕運(yùn)行
檢測(cè)靈敏度切換:本體開關(guān)2bit、4級(jí)或外部輸入的2級(jí)選擇式
環(huán)
境
性
能
保護(hù)構(gòu)造 IP20(IEC)
使用環(huán)境溫度 0?+55℃(注意不可結(jié)露)、存儲(chǔ)時(shí):?10?+70℃
使用環(huán)境濕度 35?85%RH、存儲(chǔ)時(shí): 35?85%RH
使用環(huán)境照明度 白熾燈:受光面照明度3,000lx以下、熒光燈:受光面照明度1,500lx以下
耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有電源連接端子與外殼之間
絕緣電阻 所有電源連接端子與外殼之間,20MΩ以上,基于DC250V的高阻表
耐振動(dòng) 頻率10?500Hz 雙振幅3mm X,Y和Z方向各2小時(shí)
耐沖擊 耐久98m/s2(約10G) XYZ方向各5回
投光元件 LED(調(diào)制式)
材質(zhì) 外殼:ABS及SUS301、透鏡: 丙烯
電纜 0.15mm2 5芯橡皮電纜,長(zhǎng)300mm
電纜延長(zhǎng) 0.15mm2 以上的電纜全長(zhǎng)可延長(zhǎng)至10m
重量 本體重量:約75g

(注1):無(wú)指定的測(cè)量條件為使用環(huán)境溫度=+20℃。
(注2):檢測(cè)8英寸以下的晶圓時(shí),可能會(huì)因晶圓間距、定位邊或表面的狀態(tài)等而影響檢測(cè)。
(注3):對(duì)于經(jīng)研磨后厚度變薄的晶圓,如果其端面呈刀刃狀,可能會(huì)因光線不能從檢測(cè)面向受光方向反射而難以檢測(cè)。
(注4):晶圓旋轉(zhuǎn)時(shí),定位邊的跳動(dòng)角度約為±20°。
(注5):斜向插入8英寸晶圓時(shí)的附近的間距。檢測(cè)帶定位邊的晶圓時(shí),對(duì)于避開定位邊的檢測(cè)位置,晶圓間距變得更窄,檢測(cè)信號(hào)無(wú)法分解,變?yōu)檫B續(xù)的寬幅信號(hào)。

尺寸圖

  • 單位mm
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