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詳細介紹
硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個標準信號，就組成了一臺完整的擴散硅壓力變送器。ZL421型擴散硅壓力變送器采用全智能技術，結構緊湊、堅固、重量輕、便于安裝、使用方便、免維護；用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度、壓力，然后將其轉變成4～20mADC HART電流信號輸出。
1.根據被測壓力量程，按實際測量壓力為測量范圍的80%選取。要考慮系統(tǒng)的壓力。一般來說，壓力變送器器壓力范圍值應該達到系統(tǒng)壓力值的1．5倍。一些水壓和過程控制，有壓力尖峰或者連續(xù)的脈沖。這些尖峰可能會達到“"壓力的5倍甚至10倍，可能造成變送器的損壞。連續(xù)的高壓脈沖，接近或者超過變送器的額定壓力，會縮短變送器的實用壽命。但提高變送器額定壓力會犧牲變送器的分辨率?？梢栽谙到y(tǒng)中使用緩沖器來減弱尖峰，這會降低傳感器的響應速度。
2.系統(tǒng)的過載應小于變送器的過載保護極限，否則會影響變送器的使用壽命甚至損壞變送器。通常壓力變送器的安全過載壓力為滿量程的2倍；
3.測量蒸汽或其它高溫介質時，需接加緩沖管（盤管）等冷凝器，不應使變送器的工作溫度超過極限；
4.冬季發(fā)生冰凍時，安裝在室外的變送器必需采取防凍措施，避免引壓口內的液體因結冰體積膨脹，導至傳感器損壞；
5.測量液體壓力時，變送器的安裝位置應避免液體的沖擊（水錘現象），以免傳感器過壓損壞；
6.接線時，將電纜穿過防水接頭（附件）或繞性管并擰緊密封螺帽，以防雨水等通過電纜滲漏進變送器殼體內；
| 電源電壓 | 16~28VDC(本安型經安全柵供電) |
| 輸出信號 | 二線制 4 ～20mA DC/HART 協議數字通訊( 可選) |
| 精度 | ±0.1%FS(典型) ±0.25%FS() |
| 負載電阻 | （U～12V）/0.02Ω |
| 穩(wěn)定性 | ≤±0.25%FS/年 |
| 接液材質 | 隔離膜片:316L 不銹鋼或鉭（可選） |
| 壓力接口 | 不銹鋼1Cr18Ni9Ti/哈氏合金C |
| 防護等級 | IP65 |
| 防爆認證： | 本安(Ex i b ⅡC T6) ;隔爆(Ex d ⅡC T6) |
| 環(huán)境溫度： | 溫度-40~+80℃ |
| 環(huán)境濕度： | 0~90%RH |
| 過程連接 | M20*1.5外螺紋(膜片內藏)/ G1/2外螺紋(膜片內藏)/ M20*1.5外螺紋(齊平膜型) /卡箍式 |
| 壓力類型 | 表壓/絕壓 |
1.根據被測壓力量程，按實際測量壓力為測量范圍的80%選取。要考慮系統(tǒng)的壓力。一般來說，壓力變送器器壓力范圍值應該達到系統(tǒng)壓力值的1．5倍。一些水壓和過程控制，有壓力尖峰或者連續(xù)的脈沖。這些尖峰可能會達到“"壓力的5倍甚至10倍，可能造成變送器的損壞。連續(xù)的高壓脈沖，接近或者超過變送器的額定壓力，會縮短變送器的實用壽命。但提高變送器額定壓力會犧牲變送器的分辨率?？梢栽谙到y(tǒng)中使用緩沖器來減弱尖峰，這會降低傳感器的響應速度。
2.系統(tǒng)的過載應小于變送器的過載保護極限，否則會影響變送器的使用壽命甚至損壞變送器。通常壓力變送器的安全過載壓力為滿量程的2倍；
3.測量蒸汽或其它高溫介質時，需接加緩沖管（盤管）等冷凝器，不應使變送器的工作溫度超過極限；
4.冬季發(fā)生冰凍時，安裝在室外的變送器必需采取防凍措施，避免引壓口內的液體因結冰體積膨脹，導至傳感器損壞；
5.測量液體壓力時，變送器的安裝位置應避免液體的沖擊（水錘現象），以免傳感器過壓損壞；
6.接線時，將電纜穿過防水接頭（附件）或繞性管并擰緊密封螺帽，以防雨水等通過電纜滲漏進變送器殼體內；
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