詳細(xì)介紹
導(dǎo)播雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件(鋼纜或鋼棒)傳播,遇到被測(cè)介質(zhì),由于介電常數(shù)突變,引起反射,一部分脈沖能量被反射回來(lái)。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質(zhì),當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小,而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí),高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí),由于其介電常數(shù)較小,因而有極少的能量被這一層介面反射,而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播,遇到兩層的介面時(shí),由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大,因而會(huì)有較大的能量被反射回來(lái)。因此導(dǎo)波雷達(dá)可以測(cè)量?jī)煞N不同介質(zhì)的介面,其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。



1.盡量遠(yuǎn)離出料口和進(jìn)料口。
2.金屬罐在整個(gè)量程范圍內(nèi)不碰罐壁及罐底。
3. 建議安裝在料倉(cāng)直徑的1/4或1/6處,與罐
4.壁的最小距離為測(cè)量范圍的1/10。
5.纜式或桿式探頭離罐壁最小距離≥300mm。
6.探頭底部距罐底≥30mm。
7. 探頭距罐內(nèi)障礙物最小距離≥200mm。
8.如果容器底部是錐型的,可以安裝罐頂。
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