可測(cè)試的樣品：

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR材料等

高阻抗材料：半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等

霍爾系統(tǒng)的組成：

系統(tǒng)由：電磁鐵、高精度電源、連接電纜、高精度恒流源、高精度電壓表、高斯計(jì)、標(biāo)準(zhǔn)樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的DX-320效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。DX-320可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的工具。實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。

主要參數(shù)：

1. 磁場(chǎng)強(qiáng)度：大于14000高斯（DX-100），氣隙20mm
2. 電流：0.1mA-50mA（可擴(kuò)展到1A）
3. 測(cè)量電壓：0.1uV-3V
4. 所提供的標(biāo)樣材料：GaAs， Si等
5. 磁場(chǎng)最小分辨率：0.01mT
6. 磁場(chǎng)測(cè)量范圍：0-3T
7. 電阻范圍：10mΩ-1MΩ
8. 載流子濃度：10³-10²³cm^-3
9. 遷移率：0.1-10⁸cm²/volt*sec
10. 系統(tǒng)測(cè)量誤差：＜2%
11. 用高斯計(jì)或數(shù)據(jù)采集板計(jì)算機(jī)通信
12. I-V曲線和I-R曲線測(cè)試
13. 電阻率范圍：10^-6-10¹¹ohm*cm
14. 電阻范圍：10mΩ-1MΩ
15. 載流子濃度：10³-10²²cm^-3
16. 遷移率：10²-10⁷cm²/volt*sec
17. 溫度調(diào)節(jié)：0.1k
18. 溫度范圍：80k-500k （可選）
19. 全自動(dòng)測(cè)試，一件處理

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