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上海翰軍實驗設(shè)備有限公司>>CVD氣相沉積系統(tǒng)>>H-CVD-1200S硫化物CVD系統(tǒng)(分體式)

硫化物CVD系統(tǒng)(分體式)

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 H-CVD-1200S
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 所在地 上海

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更新時間:2023-12-22 11:59:52瀏覽次數(shù):248

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產(chǎn)品簡介

一、概述此套系統(tǒng)H-CVD-1200S前端配有可加熱到0-1000℃的蒸發(fā)器,輔助固體源蒸發(fā),后端為雙溫區(qū)硫化爐,溫度控制精確,操作簡便

詳細(xì)介紹

一、概述

此套系統(tǒng)H-CVD-1200S前端配有可加熱到0-1000℃的蒸發(fā)器,輔助固體源蒸發(fā),后端為雙溫

區(qū)硫化爐,溫度控制精確,操作簡便。左端配有法蘭支撐架可將預(yù)熱器和硫化爐分開使用。

右端可配氣氛微調(diào)裝置,可以準(zhǔn)確的反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力,帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓

CVD非常實用,重復(fù)性好;真空機(jī)組裝有真空粉塵過濾器以保護(hù)機(jī)械式真空泵不被硫粉塵損壞。

整套系統(tǒng)可在1200℃以下的工藝溫度穩(wěn)定氣相沉積二硫化鉬等二維化合物材料。

二、設(shè)備組成

HTF-1100蒸發(fā)器,HTF-1200D雙溫區(qū)管式爐,(蒸發(fā)器與高溫反應(yīng)區(qū)采用分體式),

 三、主要技術(shù)參數(shù)

蒸發(fā)器

 

型號:HTF-1100

工作溫度:室溫-1000℃

溫度:1050℃

升溫速率:30℃/min

推薦升溫速率:10℃/min

控溫方式:智能化30段可編程控制

工作電壓:AC220 V

額定功率:1000W

控溫精度:±1℃

加熱元件:電阻絲

加熱區(qū)長度(mm):150mm 

雙溫區(qū)
硫化爐
 

型號:HTF-1200D

技術(shù)參數(shù):

額定功率(KW):3

額定電壓(V):AC220v  50/60 Hz

溫度(℃):1200(1 hour)

持續(xù)工作溫度(℃):1100

升溫速率(℃/min):≤50

爐管尺寸(mm):

高純石英管Φ50×1500mm

加熱區(qū)長度(mm):150/300mm

恒溫區(qū)長度(mm):100/120mm  

控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

控溫精度(℃):±1

加熱元件:電阻絲

配件

配真空粉塵過濾器,DN25手動蝶閥用于控制爐管內(nèi)壓力,防腐型數(shù)顯真空計,三路混氣系統(tǒng)(可選)

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