制藥網(wǎng)
一、產(chǎn)品特點：
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應(yīng)用中各項技術(shù)指標均可達到器件手冊技術(shù)指標及國標要求。
二、測試參數(shù)
1． 二極管
VF、IR、BVR、Rz
2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管
VF、IR、BVZ
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
*8. 固態(tài)繼電器
可以測試直流單路、雙路和四路固態(tài)繼電器和光MOS繼電器；
三、測試參數(shù)范圍
晶體管
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| ICEO ICBO IEBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| VCE(sat) | 0.10V-50V |
| VBE(sat) | 0.10V-30V |
| VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
| hFE | 1－99999 |
| V(BR)EBO | 0.10V-30V |
| V(BR)CEO V(BR)CBO | 1V-1499V |
二極管
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| VF | 0.10V-50V |
| V(BR) | 1V-1499V |
穩(wěn)壓二極管
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| VF | 0.10V-30V |
| VZ | 0.10V-50V |
三端穩(wěn)壓器
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| VO | 0.10V-40V |
| SV | 0.10mV-1V |
| ID | 1uA-10mA |
| IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| VGS(th) | 0.10V-30V |
| gfs | 0.1mS-1000S |
| RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
| VDS(on) | 0.10V-30V |
| IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| ID(on) | 0-50A |
| V(BR)GSS | 0.1V-30V |
| V(BR)DSS | 1V-1499V |
光耦
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| VF | 0.10V-30V |
| IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-5mA |
| VCE(sat) | 0.10V-50V |
| CTR | 0.1%-1000% |
| ICEO | 與IR參數(shù)相同 |
| V(BR)ECO V(BR)CEO | 1V-1499V |
可控硅
| 測試參數(shù) | 測試范圍 |
| IGT | 10uA-200mA |
| VGT | 0.10V-30V |
| IH | 10uA-1A |
| IL | 10uA-1A |
| VTM | 0.10V-50V |
固態(tài)繼電器
| 測試參數(shù) | 測試條件范圍 | 參數(shù)測試量程范圍 |
| 輸入接通電壓 | IO：0 — | 0 — 50V |
| 輸入接通電流 | IO：0 — | 0 — 200mA |
| 輸入關(guān)斷電壓 | VO：0 — 1000V，Io：1uA — 100uA | 0 — 50V |
| 輸出接通電阻 | Vi：0 — 50V，Io：0 — | 1mΩ — 10kΩ |
| 輸出電壓降 | Vi：0 — 50V，Io：0 — | 0 — 50V |
| 輸入電流 | Vi：0 — 50V | 0 — 200mA |
| 輸入電壓 | Ii：0 — 200mA | 0 — 50V |
| 瞬態(tài)電壓 | Io：1uA — 10mA | 0 — 1000V |
| 輸出漏電流 | VO：0 — 1000V | 0 — 10mA |
四、技術(shù)指標
1、源的指標
主極壓流源 (VA)
電壓：
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(24.4mV+0.5%set) |
±(10~50) | ±(122mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+1%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+2%set) |
壓流源 (VB)
電壓：
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(24.4mV+0.5%set) |
±(10~30) | ±(73.2mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+1%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+2%set) |
高壓源（HV）
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
0~1500 | ±2%set |
*1500V時輸出為5mA。
2、電壓表的指標
測漏電流
測量范圍 | 精確度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.5% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.5% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.5% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.5% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.5% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.5% Rdg) |
測試電壓
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.5% Rdg) |
±(10~50) | ±(15mV+0.5% Rdg) |
測擊穿電壓
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
（0~50）V/10mA | ±(36.6mV+0.5% Rdg) |
（50~1500）V/5mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
1~9999 | 2% |
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