區(qū)熔法是利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動，通過整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同。

區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長。后者主要用于硅，這是由于硅的熔點高，化學(xué)性能活潑， 容易受到異物的玷污，難以找到適合的舟皿，不能采用水平區(qū)熔法。

如果需要生長純度的硅單晶，其技術(shù)選擇首先是懸浮區(qū)熔提煉，其次是直拉法。區(qū)熔法可以得到低至1011cm^-1的載流子濃度。區(qū)熔生長技術(shù)的基本特點是樣品的熔化部分是由固體部分支撐的，不需要坩堝。柱狀的高純多晶材料固定于卡盤，一個金屬線圈沿多晶長度方向緩慢移動并通過柱狀多晶，在金屬線圈中通過高功率的射頻電流，射頻功率技法的電磁場將在多晶柱中引起渦流，產(chǎn)生焦耳熱，通過調(diào)整線圈功率，可以使得多晶柱線圈內(nèi)部的部分熔化，線圈移過后，熔料再結(jié)晶為單晶。另一種使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦電子束。整個區(qū)熔生長裝置可置于真空系統(tǒng)中，或者有保護氣氛的封閉腔室內(nèi)。

采用懸浮區(qū)熔法生長硅單晶時，熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長出的單晶之間，故稱為懸浮區(qū)熔法。由于在熔化和生長硅單晶過程中，不使用石英坩堝等容器，故又稱為無坩堝區(qū)熔法。因為硅熔體密度?。?.3 g/cm）并有一定的表面張力，加上高頻電磁場的托浮作用，所以熔區(qū)易保持穩(wěn)定。

懸浮區(qū)熔法除了可用于上述的單晶硅制備外，還可用于提純多晶硅。后者主要是利用硅中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng)，獲得高純多晶硅。區(qū)熔可在保護氣氛（氬、氫）中進行，也可在真空中進行，且可反復(fù)提純（尤其在真空中蒸發(fā)速度更快），特別適用于制備高阻硅單晶和探測器級高純硅單晶。此外，區(qū)熔法是檢驗多晶硅的純度的手段之一。

區(qū)域的溫度應(yīng)略高于材料的熔點。在材料棒自上而下的移動過程中，被加熱部分經(jīng)歷了熔化和結(jié)晶的過程，最終形成了一個單晶棒。在整個過程中，材料棒是架空的，不與任何容器接觸，避免了坩禍對材料的污染，可以用于制備高純度的晶體。這種方法特別適合于制備高熔點金屬或氧化物的單晶體。在用于提純時，常將上述過程重復(fù)數(shù)次，由于不同溫度下，雜質(zhì)在固體中的溶解度不同，可以使固體中的雜質(zhì)匯集在棒的一端。

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