基本技術(shù)參數(shù)
　　1、半導體冷阱：
　　?。?）容積≈0.7dm3(用工業(yè)酒精）
　　?。?）額定溫度：-60℃
　　?。?）額定工作電流：30A
　　?。?）冷卻水、水壓：0.1-0.2MPa 冷卻水溫度≤25℃
　　2、溫度調(diào)節(jié)范圍：-60℃-室溫
　　3、試樣冷卻時間：180±0.5秒
　　4、提出夾持器并于0.5秒內(nèi)沖擊試樣
　　5、沖擊位置：
　　?。?）沖擊器與試樣之間距離為25±1毫米
　　?。?）從沖擊位置到試樣夾持器下端的距離為11±0.5毫米
　　?。?）沖擊行程為40±1毫米
　　6、氣源泉壓力：0.41MPa
　　7、電源電壓交流：380V±10% 50Hz　　功率：0.8KVA
　　8、外形尺寸：1100×600×1100mm
　　9、重量：（毛重）280kg