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高溫真空干燥箱HMDS系列

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更新時(shí)間:2025-12-07 09:36:50瀏覽次數(shù):108

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HMDS高溫真空干燥箱特點(diǎn):高溫真空干燥箱在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要

詳細(xì)介紹

HMDS高溫真空干燥箱特點(diǎn):
高溫真空干燥箱在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況

HMDS-6020高溫真空干燥箱技術(shù)參數(shù):
電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率:1500W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動(dòng)度:±0.5℃
達(dá)到真空度:133Pa
容積:20L
工作室尺寸(mm):300*300*275
外形尺寸(mm):465*465*725
載物托架:1塊
時(shí)間單位:分鐘

HMDS-6090高溫真空干燥箱技術(shù)參數(shù):
電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率:3000W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動(dòng)度:±0.5℃
達(dá)到真空度:133Pa
容積:90L
工作室尺寸(mm):450*450*450
外形尺寸(mm):615*615*900
載物托架:2塊
時(shí)間單位:分鐘

HMDS-6210高溫真空干燥箱技術(shù)參數(shù):
電源電壓:AC 380V±10%/50Hz±2%
輸入功率:4000W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動(dòng)度:±0.5℃
達(dá)到真空度:133Pa
容積:210L
工作室尺寸(mm):560*640*600
外形尺寸(mm):720*820*1050
HMDS預(yù)處理烘箱載物托架:3塊
時(shí)間單位:分鐘

真空干燥箱選配件
真空泵:德國(guó)品牌,萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵,極限真空高,噪音低,運(yùn)行穩(wěn)定。連接管:不銹鋼波紋管,密封將真空泵與烘箱連接。

HMDS高溫真空干燥箱的必要性:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

HMDS烘預(yù)處理系統(tǒng)高溫真空干燥箱特點(diǎn):

1、機(jī)外殼采用不銹鋼SUS304材質(zhì)制造,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周,內(nèi)膽內(nèi)無(wú)任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、雙層玻璃門(mén)觀察工作室內(nèi)物體一目了然。
2、HMDS預(yù)處理烘箱箱門(mén)閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門(mén)封圈,確保箱內(nèi)高真空度。
3、微電腦智能控溫儀,具有設(shè)定,測(cè)定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能,控溫精確,可靠。
4、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,溫度,真空度及每一程序時(shí)間。
5、HMDS氣體密閉式自動(dòng)吸取添加設(shè)計(jì),真空箱密封性能佳,確保HMDS氣體無(wú)外漏顧慮。
6、整個(gè)系統(tǒng)采用優(yōu)質(zhì)材料制造,無(wú)發(fā)塵材料,適用100 級(jí)光刻間凈化環(huán)境。

HMDS預(yù)處理系統(tǒng)高溫真空干燥箱原理:
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過(guò)對(duì)真空干燥箱HMDS預(yù)處理過(guò)程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的高溫真空干燥箱一般工作流程:
先確定工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_(kāi)真空泵抽真空,待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后,開(kāi)始充人氮?dú)猓涞竭_(dá)到某低真空度后,冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^(guò)程,到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,開(kāi)始保持一段時(shí)間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開(kāi)始抽真空,充入HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后,停止充入HMDS藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后,再次開(kāi)始抽真空。充入氮?dú)?,完成整個(gè)作業(yè)過(guò)程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。

尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無(wú)專用廢氣收集管道時(shí)需做專門(mén)處理。

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