SGM PECVD等離子氣相沉積爐為洛陽(yáng)西格馬高溫電爐生產(chǎn)的實(shí)驗(yàn)室等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，又稱(chēng)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐。PECVD等離子氣相沉積爐可用于薄膜生長(zhǎng)等工藝。
PECVD等離子氣相沉積爐是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子字體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)。該爐具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做等離子體增強(qiáng)CVD實(shí)驗(yàn)用的高溫設(shè)備。
PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)行的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn)；

PECVD：SGM1200度滑膛管式+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD：SGM1200度滑膛管式+低溫預(yù)加熱爐+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD技術(shù)特點(diǎn)

1、通過(guò)射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)

2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)控制所沉積的薄膜的應(yīng)力大小

4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高

PECVD特點(diǎn)

1、整機(jī)采用SUS304不銹鋼材質(zhì)，流線(xiàn)型外觀(guān)，真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛，保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對(duì)滑軌，移動(dòng)平穩(wěn)，可以手動(dòng)從一端滑向另一端，實(shí)現(xiàn)快速的加熱和冷卻。爐蓋可開(kāi)啟，可以實(shí)時(shí)觀(guān)察加熱的物料。

3、采用高純石英管，高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，耐腐蝕，熱膨脹系數(shù)極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭，通過(guò)用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空，一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用首鋼或康奈爾發(fā)熱絲，表面負(fù)荷高、經(jīng)久耐用。設(shè)計(jì)溫度1200℃，升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質(zhì)量流量計(jì)，數(shù)字顯示、氣體流量自動(dòng)控制；內(nèi)置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥，可通過(guò)控制面板上的旋鈕來(lái)調(diào)節(jié)氣體流量。

7、等離子射頻電源：大射頻功率達(dá)500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

技術(shù)參數(shù)