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詳細(xì)摘要： 主要特點此設(shè)備具有兩個獨(dú)立的溫場，溫場之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內(nèi)探熱電偶，可實現(xiàn)在實驗過程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進(jìn)熱場，并同時可檢測溫度

詳細(xì)摘要： 低真空CVD系統(tǒng)（BTF-1200C-III-SL-4ZL）

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此款CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計、低真空機(jī)組以及1500度高溫管式爐組成

詳細(xì)摘要： 主要特點該款設(shè)備由我公司和新疆理化技術(shù)研究所共同研制的高真空自動循環(huán)設(shè)備，內(nèi)外雙熱電偶控制，內(nèi)熱電偶制動，使用者可以設(shè)定設(shè)備循環(huán)溫度點，可根據(jù)內(nèi)熱電偶測得的溫度...

詳細(xì)摘要： 主要特點復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備，可以實現(xiàn)在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學(xué)沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復(fù)合氧化物（Al2...

詳細(xì)摘要： 設(shè)備簡介：流化床—化學(xué)氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設(shè)備，該設(shè)備包括有：自動加液裝置、超聲波霧化發(fā)生裝置、氣體供應(yīng)裝置、氣體流量控制裝置、三溫區(qū)流化床反應(yīng)器及...

詳細(xì)摘要： 主要特點1.此款設(shè)備提供兩個獨(dú)立滑動的溫場，兩溫場獨(dú)立控制，每個溫場的加熱區(qū)的長度為230mm，可在實驗過程中推進(jìn)或推離樣品，提供兩個位置的快升降溫

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此款CVD系統(tǒng)前端配有可加熱到400℃的預(yù)加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡便

詳細(xì)摘要： 主要特點該設(shè)備是由1200度開啟式管式爐、精密的質(zhì)量流量控制系和真空系統(tǒng)所組成

詳細(xì)摘要： 主要特點爐體采用硅鉬棒加熱Z高溫度可至1650℃，高真空系統(tǒng)采用進(jìn)口分子泵機(jī)組，一鍵操作，簡潔方便，無噪音，同時配高精度的質(zhì)量流量計系統(tǒng)

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此款CVD系統(tǒng)是由1200℃開啟式迷你真空管式爐、氣路系統(tǒng)和低真空機(jī)組組成

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此款1700℃高溫CVD系統(tǒng)，是由1700度管式爐、三路質(zhì)量流量計系統(tǒng)以及國產(chǎn)高真空系統(tǒng)（或選配低真空系統(tǒng)）所組成

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此套設(shè)備是由1200℃雙溫區(qū)開啟式管式爐、三路質(zhì)量流量計及低真空系統(tǒng)組成，根據(jù)工藝要求亦可選配高真空系統(tǒng)

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點此款設(shè)備是專為生長石墨烯研制的石墨烯薄膜生長專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，溫區(qū)可獨(dú)立程序控制，設(shè)備操作時可將實驗需要的恒定高溫直...

詳細(xì)摘要： 1、主要特點該設(shè)備爐管可360°旋轉(zhuǎn)，有助于粉料的燒結(jié)更均勻，可大角度傾斜，方便進(jìn)出料，傾斜角度在0-35°之間