產(chǎn)品簡介

STG-I型四探針電阻率測(cè)試儀是用來測(cè)量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器，具有簡便的比較功能，操作方便。
本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)，它主要由電器測(cè)量部分（主機(jī)）及四探針探頭組成。樣品測(cè)試電流由高精度的恒流源提供，隨時(shí)可進(jìn)行校準(zhǔn)，以確保電阻率測(cè)量的準(zhǔn)確度。對(duì)0.1～29.9Ω*cm標(biāo)準(zhǔn)樣片的測(cè)量誤差不超過±5%。
（1）測(cè)量范圍：
a.可測(cè)量電阻率：0.1～29.9Ω*cm。
b.可測(cè)方塊電阻： 1～299Ω/口。
c.電阻測(cè)量誤差（按JJG508-87進(jìn)行）：0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±5%。
d.適合測(cè)量各種厚度的硅片，可測(cè)晶片直徑（）。
e.圓形Ф100mm ，方形230×220mm。
f.恒流源：
輸出電流：0.01～1mA連續(xù)可調(diào)；
誤 差：≤±0.5%；
恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.1%。
g.直流數(shù)字電壓表：
測(cè)量范圍：0.1～199.9mv；
靈 敏 度：100μv；
準(zhǔn) 確 度：0.2%（±2個(gè)字）。
h.供電電源：
AC：220V ±10%（保護(hù)隔離） 50/60HZ 功率2W。
（5）四探針探頭；
a.材持：鎢鋼探針；
b.間距：1±0.01mm；
c.針尖絕緣電阻：≥100mΩ；
d.機(jī)械游移率：≤1.0%；
e.探針壓力：12-16牛頓（總力）；
f.使用環(huán)境：
環(huán)境溫度：-40～50℃，
相對(duì)濕度：≤80%，無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾，無強(qiáng)光直接照射。
（7）使用方法：
a. 使用儀器前將電源線、測(cè)試筆聯(lián)接線與主機(jī)聯(lián)接好，電源線插頭插入220V座插后，開啟背板上的電源開關(guān)，此時(shí)前面板上的數(shù)字表、發(fā)光二極管都會(huì)亮起來。探針頭壓在被測(cè)單晶上，右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測(cè)量電流，左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。
b. 校準(zhǔn)設(shè)備：厚度小于3.98mm的（本公司提供厚度小于3.98mm的標(biāo)準(zhǔn)電流修正系數(shù)表）取與要備測(cè)試硅材料厚度相同的硅材料標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測(cè)試儀，測(cè)試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測(cè)試儀。
c. 測(cè)試：用四探針接觸硅材料，以探針壓下三分之二為準(zhǔn)，待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。

產(chǎn)品簡介

STG-2型四探針電阻率測(cè)試儀是用來測(cè)量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器，具有簡便的比較功能，操作方便。
本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)，它主要由電器測(cè)量部分（主機(jī)）及四探針探頭組成。測(cè)試電流由高精寬的恒流源提供，隨時(shí)可進(jìn)行校準(zhǔn)，以確保電阻率測(cè)量的準(zhǔn)確度。
1、測(cè)量范圍：
a.可測(cè)量電阻率：0.1～1999Ω*cm。
b.適合測(cè)量各種厚度型狀的硅料。
c.恒流源：
輸出電流：0.01～1mA連續(xù)可調(diào)；
誤 差：≤±0.5%；
恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.1%。
（3）直流數(shù)字電壓表；
測(cè)量范圍：0.1～199.9mv；
靈 敏 度：100μv；
準(zhǔn) 確 度：0.2%（±2個(gè)字）。
（4）供電電源：
AC：220V ±10%（保護(hù)隔離）50/60HZ
功率：2W
（5）四探針探頭；
a.材質(zhì)：鎢鋼探針；
b.間距：1±0.01mm；
c.針尖絕緣電阻：≥100mΩ；
d.機(jī)械游移率：≤1.0%；
e.探針壓力：12-16牛頓（總力）；
f.使用環(huán)境：
環(huán)境溫度：-40～50℃；
相對(duì)濕度：≤80%，無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾，無強(qiáng)光直接照射。
（7）使用方法
a. 使用儀器前將電源線、測(cè)試筆聯(lián)接線與主機(jī)聯(lián)接好，電源線插頭插入220V座插后，開啟背板上的電源開關(guān)，探針頭壓在被測(cè)單晶上，右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測(cè)量電流，左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。
b. 校準(zhǔn)設(shè)備：測(cè)低阻（電阻率≤49.9Ω*cm）時(shí)，按下儀器背面切換按鈕，厚度小于3.98mm的，取與要備測(cè)試硅材料厚度相同的硅材料標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測(cè)試儀，測(cè)試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測(cè)試儀。測(cè)高阻（電阻率≥49.9Ω*cm）時(shí)，按下切換按鈕復(fù)位即可。
c. 測(cè)試：用四探針接觸硅材料，以探針壓下三分之二為準(zhǔn)，待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。