詳細(xì)介紹
冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
| 儀器照片 |
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| 儀器名稱 | 場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡 |
| 儀器型號(hào) | 美國(guó)FEI Quanta 400 FEG |
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儀器簡(jiǎn)介 | Quanta FEG場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡綜合場(chǎng)發(fā)射電鏡高分辨和ESEM環(huán)境掃描電鏡適合樣品多樣性的優(yōu)勢(shì),可對(duì)各種各樣的樣品(包括導(dǎo)電樣品、不導(dǎo)電樣品、含水含油樣品、加熱樣品等等)進(jìn)行高分辨的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)觀察和分析。 |
| 技術(shù)參數(shù) | ?MonoCL3+陰極熒光譜儀,波長(zhǎng)范圍160-930nm ?電子束感生電流(EBIC) ? STEM探測(cè)器 ? Apollo 40 SDD能譜儀 ? 液氮冷臺(tái),溫度范圍為-185℃- +200℃ ? 液氦冷臺(tái),溫度范圍為6K-300K |
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儀器功能 | ? 可在高真空、低真空(130Pa)、環(huán)境真空(4000Pa)下觀察導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,對(duì)材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進(jìn) 行分析,廣泛應(yīng)用于金屬材料、高分子材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等領(lǐng)域; ? 配備的Apollo40 SDD能譜無(wú)需液氮制冷,可進(jìn)行快速的點(diǎn)、線、面分布分析,獲得能譜的mapping圖譜; ? 其樣品室直徑達(dá)284 mm,對(duì)于直徑達(dá)四英寸硅片可以直接進(jìn)行測(cè)試,無(wú)需對(duì)樣品進(jìn)行分割處理; |
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檢測(cè)案例一 (圖片) | ![]()
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檢測(cè)案例二 (能譜) | |
| 樣品要求 | 建議提供文獻(xiàn)圖片或者以前做過(guò)的圖片,如果沒(méi)有,檢測(cè)要求需詳細(xì)填寫。可提供12張圖片:即篩選出三個(gè)比較好的區(qū)域,每個(gè)區(qū)域提供3-4張不同放大倍數(shù)滿足測(cè)試要求的圖片,對(duì)于找不到符合測(cè)試要求的區(qū)域的樣品,我們將會(huì)多拍一些區(qū)域以證明樣品的真實(shí)情況!寄送樣品質(zhì)量大于20mg。 |
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