上海伯東 Pfeiffer 殘余氣體分析質(zhì)譜儀 QMG 應用于分子束外延(MBE)系統(tǒng)
分子束外延(MBE)是一種晶體生長技術，將半導體襯底放置在超高真空腔體中，和將需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中，由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在襯底上生長出極薄的，可薄至單原子層水平，單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu)。
分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)或不同材料的晶體和超晶格的生長。該方法生長溫度低，能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度。
分子束外延系統(tǒng)對真空度要求及其高，對真空腔體的密封性、材料放氣率、微量雜質(zhì)氣體和水蒸氣比較敏感，本系統(tǒng)采用上海伯東德國 Pfeiffer 殘氣質(zhì)譜儀 QMG 對超高真空腔體進行檢漏，及材料放氣組分及水汽進行分析，確保超高真空及真空的穩(wěn)定性，對晶格的生長起到很好的作用。

客戶案例：上海某研究所 MBE 超高真空系統(tǒng)

系統(tǒng)運行條件：
1. 主要針對 ZnO 等金屬氧化物外延生長
2. 超高真空生長室，配有上海伯東德國 Pfeiffer殘余氣體分析質(zhì)譜儀 QMG+液氮冷屏;
3. 配有12個加熱泄流源.
4. 襯底加熱器加熱溫度1200℃
5. SiC 襯底加熱器可以在氧氣環(huán)境下工作;
6. 線型進樣室實現(xiàn)全自動送片

配套 Pfeiffer QMG 殘余氣體分析質(zhì)譜儀配置:
1.測量范圍:1-100amu
2.檢測器:Faraday/C-SEM
3.烘烤溫度:200℃
4.離子源:Grid ion source
5.燈絲:Yttriated iridium
6.配有軟件及I/O模塊

Pfeiffer 殘余氣體質(zhì)譜分析儀與友廠同級別質(zhì)譜分析儀相比，更適用于移動應用，并且提供高解析度和靈敏度，可對氣體進行定性和定量分析，應用范圍廣泛，從大氣壓力到高真空均可使用。