非接觸式厚度測量，可以測量背面研磨減薄和刻蝕后的薄晶圓，也可測量粘附在藍(lán)膜或者其他載體上的有圖形或凸起的晶圓，可應(yīng)用于堆疊芯片和微機(jī)電系統(tǒng)。

優(yōu)勢：
       FSM413回波探頭傳感器使用紅外（IR）干涉測量技術(shù)，可以直接和測量從厚到薄的晶圓襯底厚度變化和總體厚度變化。配置單探頭系統(tǒng)，可以測量一些對紅外線透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，還可以測量常規(guī)有圖形、有膠帶、凸起或者鍵合在載體上晶圓的襯底厚度。配置雙探頭系統(tǒng)時(shí)，還提供晶圓整體厚度測量（包括襯底厚度和在光不能穿透的情況下的圖形高度厚度)。選配功能可以測量溝槽深度和通孔深度（包括微機(jī)電中的高深寬比的溝槽和通孔）。另外微機(jī)電應(yīng)用中薄膜厚度測量和凸塊高度測量也可以選配。

基于FSM Echoprobe紅外線干涉測量技術(shù)，提供非接觸式芯片厚度和深度測量方法。

Echoprobe技術(shù)利用紅外光束探測晶圓。 
Echoprobe可用于測量多晶硅、藍(lán)寶石、其它復(fù)合物半導(dǎo)體，例如GaAs, InP, GaP, GaN    等。 
對晶圓圖形襯底切割面進(jìn)行直接測量。

行業(yè)應(yīng)用：

主要應(yīng)用在研磨芯片厚度控制、芯片后段封裝、TSV(硅通孔技術(shù))、(MEMS)微機(jī)電系統(tǒng)、 側(cè)壁角度測量等。
針對LED行業(yè), 可用作檢測藍(lán)寶石或碳化硅片厚度及TTV 

其它應(yīng)用：
·  溝槽深度測量
·  表面粗糙度測量
·  薄膜厚度測量
·  環(huán)氧厚度測量

Echoprobe™ 回波探頭技術(shù)可提供對薄晶圓（<100um）的襯底厚度或粘結(jié)結(jié)構(gòu)上的薄襯底進(jìn)行直接和測量。